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《硅單晶電阻率的測(cè)定 直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)ā芬庖?jiàn)征求
2020年03月31日 17:25:00 來(lái)源：化工儀器網(wǎng) 點(diǎn)擊量：4724

目前測(cè)試硅單晶電阻率一般利用原理簡(jiǎn)單、數(shù)據(jù)處理簡(jiǎn)便的探針?lè)?，但已有的?biāo)準(zhǔn)對(duì)該方法的使用環(huán)境要求過(guò)于嚴(yán)格，很多企業(yè)和實(shí)驗(yàn)室無(wú)法滿(mǎn)足，因此在充分考慮四探針和兩探針?lè)ǖ母蓴_因素后，信息產(chǎn)業(yè)部專(zhuān)用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心 、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所對(duì)原標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了制修訂。

　　【化工儀器網(wǎng) 政策標(biāo)準(zhǔn)】硅單晶是典型的元素半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的熱性能與機(jī)械性能，是目前重要、用途廣泛的半導(dǎo)體材料。一般而言，硅單晶的電阻率是直接、重要的參數(shù)，直接反映出了晶體的純度和導(dǎo)電能力，在器件設(shè)計(jì)時(shí)，根據(jù)器件的種類(lèi)、特性以及制作工藝等條件，對(duì)硅單晶的電阻率的均勻和可靠都有一定的要求。
 
　　對(duì)硅單晶電阻率的測(cè)試就至關(guān)重要，目前測(cè)試硅單晶電阻率一般利用原理簡(jiǎn)單、數(shù)據(jù)處理簡(jiǎn)便的探針?lè)?，但已有的?biāo)準(zhǔn)對(duì)該方法的使用環(huán)境要求過(guò)于嚴(yán)格，很多企業(yè)和實(shí)驗(yàn)室無(wú)法滿(mǎn)足，因此在充分考慮四探針和兩探針?lè)ǖ母蓴_因素后，信息產(chǎn)業(yè)部專(zhuān)用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心 、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)的主管下，對(duì)原標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了制修訂。
 
　　據(jù)悉，《硅單晶電阻率的測(cè)定 直排四探針?lè)ê椭绷鲀商结樂(lè)ā返男抻喒ぷ魇歉鶕?jù)《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)委關(guān)于下達(dá)2018年第三批國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)制修訂計(jì)劃的通知》進(jìn)行的，嚴(yán)格遵循了GB/T 1.1-2009《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則 第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫(xiě)》的原則進(jìn)行編制。相較于原標(biāo)準(zhǔn)，主要變動(dòng)如下：修改了兩種測(cè)試方法的環(huán)境溫度條件為23℃5℃；修改了兩種測(cè)試方法的干擾因素，將測(cè)試在暗室進(jìn)行改為測(cè)試盡量在光線較暗的環(huán)境或遮光罩中進(jìn)行；方法1直排四探針?lè)ü鑶尉щ娮杪史秶碢型和N型分別規(guī)定；方法1直排四探針?lè)ㄖ性黾恿藢?duì)使用試劑的要求；方法1直排四探針?lè)?.1.1中增加了探針的形狀；方法1直流四探針?lè)ㄖ屑?xì)化了超聲清洗步驟；方法2直流兩探針?lè)ㄖ性黾恿烁蓴_因素等。
 
　　閱讀標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)稿后可知，直排四探針?lè)ㄐ枰ぞ唢@微鏡、機(jī)械或電子厚度測(cè)量?jī)x、研磨或噴砂設(shè)備、散熱器、千分尺或游標(biāo)卡尺、溫度計(jì)或其他測(cè)溫儀器、歐姆計(jì)等儀器設(shè)備，原理是排列成一直線的四根探針垂直地壓在近似為半無(wú)窮大的平坦試樣表面上，將直流電流在兩外探針間通入試樣，測(cè)量?jī)?nèi)側(cè)兩探針間所產(chǎn)生的電勢(shì)差，根據(jù)測(cè)得的電流和電勢(shì)差值進(jìn)行計(jì)算即可。直流兩探針?lè)ǖ脑硎亲屩绷麟娏魍ㄟ^(guò)試樣兩端，并使兩根探針垂直壓在試樣側(cè)面，測(cè)量?jī)筛结橀g的電位差后，根據(jù)公式即可計(jì)算出電阻率，而這一試驗(yàn)的結(jié)果準(zhǔn)確率受光照、電阻率不均勻、電磁、電場(chǎng)、溫度探針振動(dòng)的影響，因此需分別在5個(gè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行循環(huán)試驗(yàn)，以確保結(jié)果的精密與準(zhǔn)確。
 
　　本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T 1551-2009《《硅單晶電阻率的測(cè)定方法》》的修訂和補(bǔ)充，僅修訂了試驗(yàn)技術(shù)內(nèi)容和格式，與現(xiàn)行的有關(guān)法律、法規(guī)及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)有沖突。為此希望相關(guān)單位在仔細(xì)研核后能提出建設(shè)性的意見(jiàn)，為標(biāo)準(zhǔn)的科學(xué)性、適用性和可行性添磚加瓦。
 
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