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一項利用光譜法測定硅片表面元素污染標準意見征集中
2020年07月20日 08:45:59
來源：化工儀器網(wǎng) 點擊量：5633
硅片表面元素污染的控制在半導體工業(yè)中非常重要，目前通常采用全反射X射線熒光光譜法對它們進行測定。隨著超大規(guī)模集成電路制造的發(fā)展，目前要求對硅片表面含量極低的元素雜質(zhì)進行測定，但由于表面污染問題常常導致標準物質(zhì)的使用壽命有限。因此，需要對工作標準物質(zhì)的制備方法和測量方法進行規(guī)定和標準化。
【化工儀器網(wǎng) 政策標準】硅片表面元素污染的控制在半導體工業(yè)中非常重要，目前通常采用全反射X射線熒光光譜法對它們進行測定。隨著超大規(guī)模集成電路制造的發(fā)展，目前要求對硅片表面含量極低的元素雜質(zhì)進行測定，但由于表面污染問題常常導致標準物質(zhì)的使用壽命有限。因此，需要對工作標準物質(zhì)的制備方法和測量方法進行規(guī)定和標準化。
近日，一項由國家標準化管理委員會主管，中國計量科學研究院主要起草的，有關硅片表明元素污染的標準正面向社會征求意見。據(jù)悉，《表面化學分析 全反射X射線熒光光譜法(TXRF)測定硅片表面元素污染》是起草組依據(jù)GB/T 1.1-2009《標準化工作導則 第1部分：標準的結構和編寫》和《標準化工作指南 第2部分：采用標準》等標準制訂的，規(guī)定了一種測量經(jīng)化學機械拋光的或外延生長的硅片表面元素污染的原子表面密度的檢測方法。
標準征求意見稿顯示，實驗的原理是當樣品受到X射線輻射時，樣品中的元素產(chǎn)生具有特征能量的熒光X射線，熒光X射線的強度會與樣品中元素的含量成正比，而入射X射線在樣品上發(fā)生全反射減小了入射X射線在樣品中的穿透深度，這使得從樣品表面區(qū)域(包括沉積在硅片表面的原子)更多地選擇性激發(fā)出熒光X射線。因此，通過該試驗能夠得到具有高信背比和信噪比的X射線熒光光譜。
需要注意的是，因本實驗方法使用X射線輻照，因此，實驗人員必須避免將身體的任何部位暴露于儀器設備產(chǎn)生的X射線中。更為重要的是，在操作過程中還應保持手和手指處于X射線光路之外以及保護眼睛免受散射的二次X射線輻照。
據(jù)悉，標準化組織早在2000年就已經(jīng)發(fā)布了《表面化學分析 全反射 X 射線熒光光譜法(TXRF)測定硅片表面元素污染》，而本標準的制訂在一個方面也是與接軌，且很好地促進了國內(nèi)相關技術的提升。相信標準在實施后能在半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品質(zhì)量控制與保證方面起著重要的應用價值，為此希望相關單位能在仔細研核后提出建設性意見，為標準的完善添磚加瓦。
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