大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗，先后推出了直流源表，脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于高校研究所、實驗室，新能源，光伏，風(fēng)電，軌交，變頻器等場景。

IGBT簡介：

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經(jīng)常使用在強電流高電壓的場景中，如電動汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點，IGBT是電力電子設(shè)備的“cpu”，被國家列為重點研究對象。

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協(xié)同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設(shè)備進行測試。

3、IGBT動態(tài)電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應(yīng)明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng)，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容，且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關(guān)特性非常重要，需要進行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。

那么IGBT器件靜態(tài)參數(shù)測試需要哪些儀器呢？

E系列高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設(shè)備工作在第一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。

用于IGBT擊穿電壓測試,IGBT動態(tài)測試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測試,壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。

E300高電壓源測單元

HCPL100型高電流脈沖電源為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（10uS）、支持兩路脈沖電壓測量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點。

設(shè)備可應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測試場合，使用該設(shè)備可以獨立完成“電流-導(dǎo)通電壓”掃描測試。

HCPL100型高電流脈沖電源

P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能，Z大脈沖輸出電流達10A，Z大輸出電壓達300V，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

P系列脈沖源表

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀簡介

功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，p*電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。

產(chǎn)品特點

• 高電壓：支持高達3KV高電壓測試；

• 大電流：支持高達4KA大電流測試；

• 高精度：支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準測量；

• 豐富模板：內(nèi)置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數(shù)；

• 配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能；

• 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果，亦可一鍵導(dǎo)出；

• 模塊化設(shè)計：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計，可自由配置，方便維護；

• 可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度；

• 可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)；

   

  技術(shù)指標