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碳化硅氮化鎵氧化鎵晶圓厚度TTV測試儀

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厚度TTV晶圓碳化硅氮化鎵氧化鎵

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公司成立于2021年,是一家注冊在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售于一體,主要攻克國外壟斷技術(shù),替代進(jìn)口產(chǎn)品,使半導(dǎo)體材料測試設(shè)備國產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品:非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀、方阻測試儀、硅片電阻率測試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀、遷移率(霍爾)測試儀、少子壽命測試儀,晶圓、硅片厚度測試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)申請各項(xiàng)知識產(chǎn)權(quán)20余項(xiàng),已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場口碑。





晶圓電阻率測試儀,硅片電阻率測試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測試儀,少子壽命測試儀

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池,航空航天,制藥/生物制藥,電氣,綜合

碳化硅晶圓厚度指基板上下表面間的垂直距離,需通過激光干涉儀或接觸式測厚儀進(jìn)行精確測量。國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)(SEMI)已建立相關(guān)測量標(biāo)準(zhǔn),確保不同供應(yīng)商產(chǎn)品的參數(shù)可比性碳化硅的厚度范圍?可以從幾微米到幾毫米不等,具體取決于其應(yīng)用場景和制造工藝。例如,碳化硅晶圓片的厚度可以達(dá)到130微米(um),而碳化硅顆粒的尺寸則有1-3mm、3-5mm等多種規(guī)格?12。

碳化硅在不同應(yīng)用中的厚度要求

  1. ?晶圓片?:碳化硅晶圓片厚度僅為130um,這表明在高性能電子設(shè)備中,更薄的碳化硅材料有助于提高效率和性能?1。

  2. ?顆粒?:碳化硅顆粒的尺寸有多種規(guī)格,如1-3mm、3-5mm等,適用于不同的工業(yè)應(yīng)用?23。

碳化硅厚度的測量方法和標(biāo)準(zhǔn)

碳化硅厚度的測量通常采用精密的測量儀器,如顯微鏡、掃描電子顯微鏡(SEM)等。測量標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)具體應(yīng)用場景而定,通常需要達(dá)到一定的精度和均勻性要


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