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SOPHI-30 ULVAC離子注入機

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上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(Shanghai Makeway Semiconductor LTD)是一家專業(yè)的微納材料、半導(dǎo)體和微電子材料及器件研發(fā)儀器及設(shè)備的供應(yīng)商,所銷售的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、以及半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域的高科技企業(yè)。目前總部在上海,香港、南通、深圳、北京分別設(shè)立分公司和辦事處,快速響應(yīng)客戶需求。同時上海麥科威在快速擴展海外市場,并設(shè)立新加坡分公司,輻射東南亞市場。

      上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司主要銷售產(chǎn)品包括:  - 霍爾效應(yīng)測試儀;  - 快速退火爐;  - 回流焊爐,共晶爐,釬焊爐,真空燒結(jié)爐;  - 電子束蒸發(fā)鍍膜機,熱蒸發(fā)鍍膜機;  - 探針臺,低溫探針臺,微探針臺;  - 金剛石劃片機; - 球焊機,鍥焊機;  - 磁控濺射鍍膜機;  - 原子層沉積系統(tǒng),等離子增強原子層沉積設(shè)備;  - 電化學(xué)C-V剖面濃度分析儀(ECV Profiler); - 掃描開爾文探針系統(tǒng); - 光學(xué)膜厚儀; -貼片機-PECVD\CVD;-脈沖激光沉積系統(tǒng)-PLD-納米壓印;-等離子清洗機、去膠機;-反應(yīng)離子刻蝕RIE; - 光刻機、無掩膜光刻機; - 勻膠機; - 熱板,烤膠板; -少子壽命、太陽能模擬器;-NMR-瞬態(tài)能譜儀-外延沉積-等離子清洗機-離子注入-劃片機、裂片機光刻機(針尖/電子束光刻機EBL,紫外光刻機,激光直寫光刻機),鍍膜機(磁控濺射機,電子束蒸發(fā)機,化學(xué)沉積機,微波等離子沉積機,原子層沉積機  等等…

企業(yè)客戶:華為技術(shù)有限公司, 深圳市鵬芯微集成電路制造, 深圳清力技術(shù), 安徽格恩半導(dǎo)體, 蘇州稀晶半導(dǎo)體科技, 矽品半導(dǎo)體, 廈門海辰新能源科科, 中核同創(chuàng)(成都)科技, 洛瑪瑞芯片技術(shù)(常州),偉創(chuàng)力科技, 奧普科星河北科技,廣東五星太陽能,廣東萬和集團,西安西測股份, 普源精電科技, 普源精電科技股份, 上海蔚來汽車, 北京華脈泰科, 廣醫(yī)東金灣高景太陽能科技, 深圳匯佳成電子, 深圳市化訊半導(dǎo)體材料, 珠海珍迎機電, 合肥鼎材科技, 山東金晶節(jié)能玻璃, 江蘇云意電氣股份, 廣東風華技股份, 浙江中能合控股集團,固安維信諾,淮安天合光能,浙江老鷹半導(dǎo)體, 四川信通電子科技等。


科研院所/高等院校: 北京航空航天大學(xué), 汕頭大學(xué), 南方醫(yī)科大學(xué), 清華大學(xué), 北京大學(xué), 復(fù)旦大學(xué), 西北工業(yè)大學(xué), 南京醫(yī)科大學(xué), 香港中文大學(xué), 香港城市大學(xué), 蘇州大學(xué), 深圳職業(yè)技術(shù)學(xué)院, 南京大學(xué)合肥國家試驗室, 上海交通大學(xué)醫(yī)學(xué)院, 華南理工大學(xué),華東師范大學(xué),江南大學(xué),重慶26所, 深圳大學(xué), 南方科技大學(xué), 深圳技術(shù)大學(xué), 理化技術(shù)研究所, 中國工程物理研究院激光聚變研究中心, 廣東粵港澳大灣區(qū)黃埔材料研究院, 桂林電子科技大學(xué), 上海硅酸鹽研究所, 中國航天五院,中科合肥智慧農(nóng)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新研究院等。

 

 

 

 

 

 

 

 

半導(dǎo)體設(shè)備,快速退火爐,原子層沉積,鍵合機,光刻機

產(chǎn)品概述:

      離子注入設(shè)備,又稱為離子注入機,是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵設(shè)備之一。它通過將可控數(shù)量的離子(如硼、磷、砷等)加速并注入到半導(dǎo)體材料(如硅片)的特定區(qū)域,以改變其電學(xué)性能,實現(xiàn)摻雜的目的。離子注入技術(shù)具有精確控制摻雜深度、濃度和橫向分布的能力,是現(xiàn)代集成電路制造中的一環(huán)。

離子注入設(shè)備主要由離子源、離子引出和質(zhì)量分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和工藝腔等部分組成。離子源負責產(chǎn)生所需的離子,經(jīng)過質(zhì)量分析器篩選后,由加速管加速至幾百千電子伏特的能量,最后通過掃描系統(tǒng)均勻地注入到硅片表面。工藝腔則提供了一個真空環(huán)境,確保離子注入過程的順利進行。

設(shè)備用途:

離子注入設(shè)備在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域具有廣泛的用途,主要包括以下幾個方面:

  1. 集成電路制造:在制造集成電路的過程中,離子注入技術(shù)用于形成晶體管的源極、漏極和溝道等關(guān)鍵區(qū)域,以及實現(xiàn)電路的隔離和互聯(lián)。

  2. 金屬材料表面改性:通過離子注入技術(shù),可以在金屬材料表面形成一層具有特殊性能的改性層,如提高耐磨性、耐腐蝕性和硬度等。

  3. 薄膜制備:離子注入技術(shù)還可以用于制備具有特定性能的薄膜材料,如超導(dǎo)薄膜、光學(xué)薄膜等。

設(shè)備特點

離子注入設(shè)備具有以下幾個顯著特點:

  1. 精確控制:離子注入技術(shù)可以精確控制摻雜離子的種類、數(shù)量、深度和橫向分布,滿足集成電路制造中對摻雜精度要求。

  2. 低溫處理:與傳統(tǒng)的熱擴散工藝相比,離子注入技術(shù)可以在較低的溫度下進行,避免了高溫處理對半導(dǎo)體材料性能的影響。

  3. 廣泛應(yīng)用:離子注入技術(shù)不僅應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,還擴展到金屬材料表面改性、薄膜制備等多個領(lǐng)域。


技術(shù)參數(shù)和特點:

 •基板尺寸:Max200mm枚葉式

可對應(yīng)薄片Wafer

非質(zhì)量分離機的對比優(yōu)點

1)對應(yīng)低加速.高濃度的好產(chǎn)能離子注入設(shè)備

2)相比過去約一半的低價

3)相比過往設(shè)備占用面積為1/3的緊湊型設(shè)計


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