濕法單片刻蝕機 若名芯
| 參考價 | ￥ 10000 |
| 訂貨量 | ≥1臺 |
- 公司名稱 若名芯半導體科技（蘇州）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產地 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)金鳳凰微納產業(yè)園
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2025/7/30 15:12:11
- 訪問次數(shù) 86
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| 非標定制 | 根據客戶需求定制 |
|---|
濕法單片刻蝕機是一種基于液態(tài)化學試劑反應的半導體制造設備，專用于對單塊晶圓進行可控的材料去除（刻蝕）。相較于干法刻蝕的離子轟擊物理機制，該設備利用溶液溶解原理實現(xiàn)各向同性或定向性的微觀結構成型，是實現(xiàn)亞微米級精度圖案轉移的關鍵工具。其設計融合了流體動力學、電化學和自動化控制技術，廣泛應用于集成電路、MEMS傳感器、光電子器件等領域。
核心工作原理
化學選擇性交聯(lián)反應
根據目標材料特性配置特定蝕刻液配方（如氫氟酸用于二氧化硅刻蝕、KOH溶液用于硅襯底異性腐蝕），通過分子級化學反應實現(xiàn)精準剝離。例如，在CMOS工藝中，采用BOE緩沖氧化物刻蝕劑可精確控制場效應管柵極介電層的厚度。
動態(tài)均勻性保障系統(tǒng)
旋轉卡盤以設定轉速帶動晶圓做行星式運動，配合多通道噴淋臂形成螺旋狀液膜覆蓋，確保徑向刻蝕速率偏差小于±3%。部分機型引入超聲波輔助振蕩，可有效消除氣泡干擾并加速反應產物脫附。
過程參數(shù)閉環(huán)調控
集成在線厚度測量儀實時監(jiān)測材料損耗量，反饋調節(jié)蝕刻液濃度與溫度（精度達±0.5℃）；壓力傳感器動態(tài)平衡腔室內部氣壓，防止因揮發(fā)導致的組分漂移。典型工藝曲線支持多段斜率設置，滿足復雜輪廓成型需求。
產品創(chuàng)新特點
| 功能模塊 | 技術突破 | 應用效益 |
|---|---|---|
| 智能供液系統(tǒng) | 雙組份在線配比混合裝置，支持從強酸到有機溶劑的全譜系化學品兼容 | 避免預混變質，延長藥液使用壽命至72小時以上 |
| 邊緣保護技術 | 電磁吸附式擋環(huán)配合惰性氣體屏障，隔離非目標區(qū)域 | 邊緣過刻蝕量控制在5μm以內 |
| 自適應清洗算法 | AI模型基于歷史數(shù)據預測DIW沖洗時長與氮氣吹掃強度 | 殘留物檢測合格率提升至99.9% |
| 模塊化架構 | 快速更換的反應腔體套件（支持不同尺寸晶圓切換） | 設備利用率提高40%，維護停機時間縮短至30分鐘 |
典型應用場景
制程互聯(lián)孔制備
在3D NAND閃存堆疊工藝中，使用稀釋HF溶液對層間介電質進行精確開窗，形成垂直貫通的存儲單元接觸孔。設備配備的微米級定位系統(tǒng)可實現(xiàn)相鄰孔間距誤差小于10nm。
功率器件背金屬化處理
IGBT模塊生產時，采用磷酸基蝕刻液減薄背面硅基底至目標厚度（典型值80μm），同時保持正面柵極結構的完整性。特殊設計的真空吸盤可承載超薄晶圓（<100μm）不產生翹曲變形。
微流控芯片制造
PDMS基微反應器加工中，堿性蝕刻液在低溫環(huán)境下（4℃）緩慢溶解聚合物基材，形成高精度微通道網絡。設備的低溫模式抑制了材料膨脹引起的尺寸失真。
性能指標對比
| 參數(shù) | 傳統(tǒng)批次式濕法臺 | 新一代單片系統(tǒng) | 提升幅度 |
|---|---|---|---|
| 片內均勻性 | ±8% | ±2% | 3倍優(yōu)化 |
| 最小可重復特征尺寸 | 5μm | 1.8μm | 超越摩爾定律限制 |
| 化學消耗量 | 150ml/wafer | 30ml/wafer | 80%節(jié)約 |
| 故障恢復時間 | 2小時 | <15分鐘 | 92%效率增益 |
行業(yè)價值延伸
該設備通過SESCSII標準接口無縫對接MES系統(tǒng)，實現(xiàn)從配方管理到質量追溯的全流程數(shù)字化控制。在化合物半導體領域，針對GaN材料的高溫蝕刻工藝開發(fā)已取得突破性進展，成功應用于5G射頻器件的生產。隨著原子層沉積（ALD）技術的融合應用，未來將實現(xiàn)刻蝕與鈍化的原位一體化處理，推動芯片制造進入原子級精調時代。
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