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北京錦正茂科技有限公司

磁場(chǎng)控制平臺(tái),高溫磁場(chǎng)退火爐,高低溫磁場(chǎng)探針臺(tái),探針臺(tái)測(cè)試系統(tǒng),

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技術(shù)文章

錦正茂電磁鐵型霍爾效應(yīng)測(cè)試儀的用途及技術(shù)參數(shù)

點(diǎn)擊次數(shù):833 發(fā)布時(shí)間:2021-10-12


霍爾效應(yīng)測(cè)試儀,是用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。

該儀器為性能穩(wěn)定、功能強(qiáng)大、性價(jià)比高的霍爾效應(yīng)儀,在國(guó)內(nèi)高校、研究所及半導(dǎo)體業(yè)界擁有廣泛的用戶和知*度。儀器輕巧方便,易于攜帶,主要用于量測(cè)電子材料之重要特性參數(shù),如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等,薄膜或固體材料均可。

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產(chǎn)品概述:

本儀器系統(tǒng)由:電磁鐵、高精度電源、高斯計(jì)、高精度恒流源、高精度電壓表、霍爾探頭、電纜、標(biāo)準(zhǔn)樣品、樣品安裝架、系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門(mén)研制的JH10 效應(yīng)儀將恒流源,六位半微伏表及霍耳測(cè)量復(fù)雜的切矩陣開(kāi)關(guān)組裝成一體,大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。JH10 可單獨(dú)做恒流源、微伏表使用。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到,可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等等。

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技術(shù)指標(biāo):

* 磁 場(chǎng):間距 10mm 情況下 10700 高斯,間距 20mm 情況下7000 高斯。

*樣品電流:50nA~50mA(*小可調(diào)節(jié)電流為 0.1nA)

*測(cè)量電壓:0.1uV~30V

* 提供各類測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)材料,各級(jí)別霍爾器件(靈敏度與精度不同)

**小分辨率: 1GS

*磁場(chǎng)范圍:0-±1T

*配合高斯計(jì)或數(shù)采板可與計(jì)算機(jī)通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測(cè)量等 ▲ 電阻率范圍:10-7~1012 Ohm*cm

*電阻范圍:10 m Ohms~ 6MOhms

*載流子濃度:103~1023cm-3

*遷移率:0.1~108cm2/volt*sec

*測(cè)試全自動(dòng)化,一鍵處理

*專業(yè)的歐姆接觸組合套件

自動(dòng)化霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)組成:

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高精度度磁鐵電源:

※ 雙極性恒流輸出

① 電源輸出電流可在正負(fù)額定*大電流之間連續(xù)變化

② 電流可以平滑過(guò)零點(diǎn),非開(kāi)關(guān)換向

③ 輸出電流、電壓四象限工作(適合感性負(fù)載)

④ 電流變化速率可設(shè)置范圍為0.0007~0.3 F.S./s(F.S.為額定*大輸出電流)

※ 電流穩(wěn)定度高,紋波低

①電流穩(wěn)定度:優(yōu)于±25ppm/h(標(biāo)準(zhǔn)型);優(yōu) 于±5ppm/h(高穩(wěn)型) ② 電流準(zhǔn)確度:±(0.01%設(shè)定值+1mA) ③ 電流分辨率:20 bit,例 15A 電源,電流分辨率為 0.03mA

④ 源效應(yīng):≤ 2.0×10-5 F.S.(在供電電壓變化 10%時(shí),輸出電流變化量)

⑤ 負(fù)載效應(yīng):≤ 2.0×10-5 F.S.(在負(fù)載變化 10%時(shí),輸出電流變化量)

⑥ 電流紋波(RMS):小于1mA

霍爾樣品架:

用于固定,焊接霍爾器件,四探針壓點(diǎn)使接觸更方便牢。高高精度高斯計(jì):分辨力:0.01Gs,量程:0-±3T,精度:0.1% ,標(biāo)準(zhǔn) 232 數(shù)字接口與控制端口。

電壓電流數(shù)采儀:

恒流源量程:±50nA-±50mA,分辨力 0.1nA 在量程范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào),高 精 度 電 壓 數(shù) 采 儀 范 圍 0. 1uV-30V,精度:.01%內(nèi)置測(cè)試矩陣轉(zhuǎn)換卡,

電磁鐵:

極頭直徑 50mm.NS間距10mm時(shí)*大磁場(chǎng)1.07T,間距 20mm 時(shí)*大磁場(chǎng) 0.7T,可實(shí)現(xiàn)在*大磁場(chǎng)范圍內(nèi)連續(xù),變化(可調(diào))自重 30 公斤。

歐姆接觸套件 :

專業(yè)做歐姆接觸用銦片以及相,應(yīng)焊接套裝,材料標(biāo)準(zhǔn)樣片,硅片,砷化鎵 2 阻值:300-500 歐姆。

測(cè)試系統(tǒng)軟件:

定位采集,數(shù)字溫度顯示,I-V,曲線及 I-R 曲線測(cè)量,得到體載,流子濃度等各類參數(shù)曲線圖形。

可測(cè)試材料: ?

半導(dǎo)體材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料,低阻抗材料:石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料,高阻抗材料:半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等

樣品測(cè)試:

設(shè)置控制電流、磁場(chǎng)和霍爾片厚度,點(diǎn)擊“開(kāi)始測(cè)試"按鈕,軟件將完成一鍵測(cè)試過(guò)程,直至計(jì)算出所有霍爾參數(shù)。每次測(cè)試完后,可選擇保存該計(jì)算結(jié)果值,然后點(diǎn)擊“清除顯示"按鈕,以進(jìn)入下一次測(cè)試。

若保持磁場(chǎng)大小不變,改變控制電流的大小,可通過(guò)畫(huà)圖操作觀察Is 與 VH的關(guān)系;若保持控制電流大小不變,改變磁場(chǎng)的大小,可通過(guò)畫(huà)圖觀察 B 與 VH 的關(guān)系。









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