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VCU創(chuàng)傷性顱腦損傷儀

創(chuàng)傷性腦損傷（traumatic brain injury，TBI）是神經(jīng)外科Z常見的疾病，是導(dǎo)致創(chuàng)傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經(jīng)生化、神經(jīng)病理生理等方面的變化，可為探索行之有效的腦保護治療提供幫助，將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質(zhì)量。故建立各種便于觀察和施加干預(yù)因素、控制性佳、可分級、可復(fù)制性好并符合人類腦創(chuàng)傷特點的創(chuàng)傷性腦損傷模型，是目前創(chuàng)傷性

細胞損傷控制儀（CIC）

細胞損傷控制儀（Cell Injury Controller II）采取電子式控制，適合腦源性細胞培養(yǎng)樣品，或其它離體培養(yǎng)細胞的牽張性（strain-induced trauma）損傷模型制作。損傷后可進行神經(jīng)生化、形態(tài)學(xué)、生理學(xué)，藥物干預(yù)等方面的研究。細胞損傷控制儀使用Flexcell Int’l corp具有的組織培養(yǎng)系統(tǒng)。細胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到每個培養(yǎng)室，以造成培養(yǎng)組織牽張性的損傷，損傷的嚴重程度是依靠控制進出密閉培養(yǎng)室的氣體量。培養(yǎng)室的峰值壓力同時被記錄下來，這個數(shù)值可以用來地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值。細胞損傷控制儀（CIC II）可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (針對VCU早期的細胞損傷控制儀)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。因為根據(jù)所采用的細胞種類、損傷的程度、培養(yǎng)的狀況，受損后的細胞或許會因為上述因素死亡或修復(fù)，所以VCU的細胞損傷控制儀(CIC II)很適合應(yīng)用在下列損傷反應(yīng)研究：細胞受損、修護，死亡，藥物介入。