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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀主要技術(shù)特性 Q 值測量范圍 2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自動換檔或手動換檔 固有誤差 ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz） 工作誤差 ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計，無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具，測量值更為精確，測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調(diào)諧電容值下檢測器件的品質(zhì)，無須關(guān)注量程和換算單位。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀滿足標準：GBT1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀滿足標準：GBT1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀特點 1、《BH916介質(zhì)損耗裝置》(測試夾具)是測試系統(tǒng)的核心檢測部件，它由一個LCD數(shù)字顯示的微測量裝置和一對經(jīng)精密加工的、間距可調(diào)的平板電容器極片組成。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗儀滿足標準：GBT1409-2006 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京 參考價：面議
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詳細摘要：主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。 主要可以測量電容器，互感器，變壓器，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗( tg)和電容量( Cx)以，其測量線路采用“正接法"即測量對地絕緣的試品。 產(chǎn)品型號：BDAT-B所在地：北京海淀上地十街輝煌國際6號樓4層0426室 參考價：面議
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詳細摘要：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京海淀上地十街輝煌國際6號樓4層0426 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)耗損測試儀是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京海淀上地十街輝煌國際6號樓4層0426 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)試驗儀主要特點： 空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京海淀建材城西路50號 參考價：面議
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詳細摘要：介質(zhì)損耗角測試儀型號：GDAT-A主要特點：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京市海淀區(qū)上地十街輝煌國際西6號樓4層0426 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì)，通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測試。 產(chǎn)品型號：GDAT-A所在地：北京市海淀區(qū)上地十街輝煌國際西6號樓4層0426 參考價：面議
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詳細摘要：滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)測試儀 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價：面議
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詳細摘要：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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詳細摘要：主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路。 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價：面議
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詳細摘要：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價：面議
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詳細摘要：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測值偏低,。 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路50號 參考價：面議
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詳細摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀專業(yè)供應(yīng)商，如需請致電詳談。 產(chǎn)品型號：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價：面議
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營產(chǎn)品：絕緣強度耐電壓擊穿試驗儀-高壓電橋法介電常數(shù)測試儀-高電壓擊穿強度試驗儀
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