單溫區(qū)管式爐只有一個(gè)恒定溫區(qū)，而雙溫區(qū)管式爐有2個(gè)溫區(qū)。一般來說，單溫區(qū)管式爐用的要相對(duì)多些，雙溫區(qū)在做火貨處理等試驗(yàn)更有優(yōu)勢(shì)。

　　那怎么選擇zui為適合自己的管式爐呢？

　　如果只是固相燒結(jié)樣品的話，單溫區(qū)管式爐是*足夠的，畢竟不會(huì)一根管子去同時(shí)燒幾個(gè)溫度不同的樣品。

　　單溫區(qū)管式爐采用的電阻絲加熱沒使用的是KANTHALA1的電阻絲，電阻均勻，發(fā)熱量均衡，而市面上絕大多數(shù)的廠家采用的是FE-CR-ALLOYDOPEDBYMO的電阻絲，有時(shí)候會(huì)出現(xiàn)電阻不均衡，發(fā)熱不均勻，從而影響樣品的燒結(jié)。配有通訊接口和軟件，可以直接通過電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù)，并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況，爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出，并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來，隨時(shí)可以調(diào)出。

　　雙溫區(qū)管式爐的加熱原件則是采用硅鉬棒與硅碳棒，有兩個(gè)加熱區(qū)，兩個(gè)溫區(qū)可以獨(dú)立控制，設(shè)置不同的溫度。硅鉬棒建議放在高溫區(qū)，其zui高溫度可達(dá)到1200℃，并可通過調(diào)節(jié)兩個(gè)溫區(qū)的控溫程序使?fàn)t管內(nèi)溫場(chǎng)形成一溫度梯度。兩個(gè)溫區(qū)分別由兩個(gè)獨(dú)立的溫控系統(tǒng)來控制，而且都為PID30段程序化控溫。此系列管式爐可以用CVD方法來生長納米材料和制備各種薄膜.

　　雙溫區(qū)管式爐的升降速率快，是各大高校，研究院，工礦企業(yè)做高溫氣氛燒結(jié)，氣氛還原，CVD實(shí)驗(yàn)，真空退火的理想設(shè)備。