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探測(cè)器材料

波長(zhǎng)范圍 
（nm）

上升沿時(shí)間 
（ns）

探測(cè)口徑 
（mm）

DET25K/M

GaP

150-550

1（連下降沿140）

2.2×2.2

DET36A/M

Si

350-1100

14, Max

3.6×3.6

DET10A/M

Si

200-1100

1, Max

?1

DET100A/M

Si

400-1100

43, Max

?9.8

DET50B/M

Ge

800-1800

440, Max

?5

DET10C/M

InGaAs

700-1800

10, Max

?1

DET10D/M

InGaAs

1200-2600

25, Max

?1

探測(cè)器材料

波長(zhǎng)范圍（nm）

上升沿時(shí)間（ps）

帶寬 
（GHz）

DET02AFC/M

Si

400-1100

50

1.2

DET01CFC/M

InGaAs

800-1700

100

2

SV2-FC

Si

320-1100

175

2

SIR5-FC

InGaAs

900-1650

70

5

PDA8GS

InGaAs

700-1650

50

8

探測(cè)器材料

波長(zhǎng)范圍(nm)

帶寬 
(Hz)

探測(cè)口徑(mm)

上升沿時(shí)間(ns)

增益

PDA25K-EC

GaP

150-550

DC-7.5 M

2.5×2.5

46.6

可調(diào)

PDA10A-EC

Si

200-1100

DC-150 M

?1

2.3

固定

PDA8A/M

Si

320-1000

DC-50 M

?0.8

7

固定

PDA36A-EC

Si

350-1100

DC-17 M

3.6×3.6

20.6

可調(diào)

PDA100A-EC

Si

400-1100

DC-1.5 M

?9.8

233.3

可調(diào)

PDA10CF-EC

InGaAs

700-1800

DC-150 M

?0.5

2.3

固定

PDA10CS-EC

InGaAs

700-1800

DC-17 M

?1

20.6

可調(diào)

PDA50B-EC

Ge

800-1800

DC-400 k

?5

875

可調(diào)

PDA10D-EC

InGaAs

1200-2600

DC-15 M

?1

20.6

固定

PDA30G-EC

PbS

1000-29600

0.2 - 1 k

3.0×3.0

350

固定

PDA20H-EC

PbSe

1500-4800

0.2 - 10 k

2.0×2.0

35

固定

探測(cè)器材料

波長(zhǎng)范圍(nm)

大輸入光(mW)

上升沿時(shí)間

探測(cè)口徑(mm)

APD210

Si

400-1000

10

500 ps

0.5

APD310

Ge

850-1650

10

500 ps

0.03

APD110A/M

Si

400-1000

1

-

1

APD110A2/M

Si

200-1100

1

-

1

APD110C/M

InGaAs

900-1700

1

-

0.2

波長(zhǎng)范圍(nm)

大輸入光（mW）

輸入光頻率（MHz）

3dB帶寬（MHz）

上升沿時(shí)間（ns）

探測(cè)口徑（mm）

FPD310-F

850-1650

2

1-1800

10-1000

0.5

0.04

FPD310-FV

400-1000

2

1-1500

10-900

0.7

0.4

FPD510-F

850-1650

10

0-250

0-200

2

0.3

FPD510-FV

400-1000

10

0-250

0-200

2

0.4