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關(guān)鍵詞：超高溫，介電溫譜，阻抗

      CGJDN-1200型超高溫介電溫譜儀是一款提供超高溫環(huán)境的高溫介電溫譜儀，該儀器采用紅外鍍金聚焦?fàn)t或電加熱技術(shù), 雙屏蔽高頻測(cè)試線纜、抗電網(wǎng)諧波模塊，確保高頻弱信號(hào)測(cè)量穩(wěn)定性. 支持4個(gè)樣品同步測(cè)量，提升效率, 可疊加0–5000V直流高壓，研究材料在外電場(chǎng)下的性能變化,是目前高校和研究所研究材料的重要設(shè)備。

主要測(cè)試指標(biāo)：

      1、 Cp-D, Cp-Q, Cp-G, Cp-Rp, Cs-D, Cs-Q, Cs-Rs, Lp-D, Lp-Q, Lp-G, Lp-Rp, Lp-Rdc ,Ls-D, Ls-Q, Ls-Rs, Ls-Rdc,R-X,Z-θd, Z-θr,G-B,Y-θd, Y-θr,Vdc-Idc；

     2、 高低溫介電測(cè)試系統(tǒng)用于高低溫環(huán)境下材料、器件的介電性能測(cè)試與分析，可測(cè)試以下參數(shù)隨溫度(T)、頻率(f)、電平(V)、偏壓(Vi)的變化規(guī)律：電容(C)、電感(L)、電阻(R)、電抗(X)、阻抗(Z)、相位角(?)、電導(dǎo)(B)、導(dǎo)納(Y)、損耗(D)、品質(zhì)因數(shù)(Q)等參數(shù)，同時(shí)計(jì)算獲得反應(yīng)材料介電性能的復(fù)介電常數(shù)和介電損耗參數(shù)。

    3、 系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單、方便，可靈活定制測(cè)試項(xiàng)目。測(cè)試材料的介電頻譜、阻抗頻譜、介電溫譜、阻抗溫譜、導(dǎo)納譜、cole-cole圖以及C-V特性。

一、核心組成與工作原理?

系統(tǒng)架構(gòu)?

高溫測(cè)試平臺(tái)?：提供高溫環(huán)境（室溫至1200℃），采用紅外鍍金聚焦?fàn)t或電加熱技術(shù)，控溫精度可達(dá)±0.1℃。

測(cè)試夾具?：三電極法設(shè)計(jì)，鉑銥合金或氧化鋁-鉑金復(fù)合探針，支持真空氣氛環(huán)境測(cè)試，減少寄生電容干擾。.

阻抗分析儀?：頻率范圍10Hz–50MHz，精度0.05%，支持復(fù)阻抗譜（Cole-Cole圖）及機(jī)電耦合系數(shù)分析。

控制軟件?：集成Labview系統(tǒng)，支持介電溫譜/頻譜、升溫程序（勻速/階梯/循環(huán)）、數(shù)據(jù)自動(dòng)保存與異常保護(hù)。

關(guān)鍵技術(shù)?

抗干擾設(shè)計(jì)?：雙屏蔽高頻測(cè)試線纜、抗電網(wǎng)諧波模塊，確保高頻弱信號(hào)測(cè)量穩(wěn)定性1

多通道測(cè)試?：支持4個(gè)樣品同步測(cè)量，提升效率410。

高壓擴(kuò)展?：部分型號(hào)（如GWGYJD-1000W）可疊加0–5000V直流高壓，研究材料在外電場(chǎng)下的性能變化

主要技術(shù)參數(shù)：

1、探針臺(tái)外形尺寸：180*160*35mm±5mm；樣品臺(tái)可固定在光學(xué)平臺(tái)上，溫度控制器通過網(wǎng)線和計(jì)算機(jī)聯(lián)絡(luò)；

2、探針要求：鎢鋼鍍金探針，可滿足高溫下的介電溫譜測(cè)試;

3、冷熱方式：電阻加熱；

4、溫控范圍：RT~1200℃；

5、溫度穩(wěn)定性：使用溫度<1000℃時(shí)，溫度精度±0.1℃，且使用溫度≥1000℃時(shí)溫度精度±0.5℃;

6、溫度分辨率：0.01℃；

7、升降溫速率：全溫度區(qū)間0~30℃/min（可定點(diǎn)/程序段控溫）

8、溫控方式：PID；

9、溫度傳感器：熱電偶；

10、視窗材質(zhì)：石英玻璃（可手動(dòng)拆卸更換）；

11、視窗尺寸：φ25mm；

12、探針：固定式探針*5；

13、探針接口：BNC*5；

14、樣品臺(tái)尺寸：35*35mm；

15、樣品臺(tái)材質(zhì)：陶瓷；

16、樣品腔高度：≥6mm；

17、腔室：氣密腔室；

18、外殼冷卻：循環(huán)水。

19、適配介電溫譜測(cè)試系統(tǒng)（4通道）；提供4通道介電溫譜測(cè)試軟件；

19.1、測(cè)試系統(tǒng)需自帶校準(zhǔn)程序，在電腦端操作控制探針臺(tái)升降溫速率，目標(biāo)溫度，可分段控制升溫速率，具備即時(shí)記錄溫度點(diǎn)。

19.2、多頻率同時(shí)采集，操作簡(jiǎn)單，所有測(cè)試結(jié)果實(shí)時(shí)保存，測(cè)試過程曲線繪制。

19.3、測(cè)試頻率：20Hz—2MHz；

19.4、測(cè)試激勵(lì)電平：0至2Vrms/0至20mArms；

19.5、測(cè)試指標(biāo)：Cp-D, Cp-Q, Cp-G, Cp-Rp, Cs-D, Cs-Q, Cs-Rs, Lp-D, Lp-Q, Lp-G, Lp-Rp, Lp-Rdc ,Ls-D, Ls-Q, Ls-Rs, Ls-Rdc,R-X,Z-θd, Z-θr,G-B,Y-θd, Y-θr,Vdc-Idc；

19.6、測(cè)試精度：0.05%；

19.7、測(cè)量時(shí)間：12ms(SHORT),118ms(MED),343ms(LONG)@1MHz；

19.8、支持ALC自動(dòng)電平控制；

19.9、可支持201點(diǎn)的掃頻測(cè)量，可編程，可任意設(shè)置頻率，測(cè)量范圍以及激勵(lì)條件并自動(dòng)繪制顯示阻抗隨頻率變化曲線；

19.10、支持線纜夾具補(bǔ)償校準(zhǔn)以及電纜延長(zhǎng)補(bǔ)償功能。