簡單介紹：

立式三溫區(qū)管式爐適用于精密陶瓷等新材料的熱處理

詳情介紹：

該款管式爐采用雙層風(fēng)冷結(jié)構(gòu)，爐體表面溫度≤60℃，采用高純氧化鋁多晶纖維制作爐膛，加熱元件為硅碳棒，可延長爐體使用壽命。整機(jī)結(jié)構(gòu)合理，操作簡單易學(xué)，是在多重氣氛或真空狀態(tài)下對金屬，非金屬及其化合物進(jìn)行燒結(jié)、熔化、分析的理想產(chǎn)品。

應(yīng)用領(lǐng)域：立式三溫區(qū)管式爐適用于精密陶瓷等新材料的熱處理。對于陶瓷材料，如氧化鋁陶瓷、氧化鋯陶瓷等，能夠提供精準(zhǔn)的溫度控制。在燒結(jié)過程中，不同溫區(qū)可以設(shè)置不同的溫度梯度，使陶瓷坯體在受熱過程中逐步致密化。例如，在最外層溫區(qū)可以設(shè)置稍低的預(yù)熱溫度，中間溫區(qū)為主要的燒結(jié)溫度區(qū)間，內(nèi)部溫區(qū)設(shè)置為冷卻或保持一定的溫度，這樣可以減少熱應(yīng)力，防止陶瓷材料在燒結(jié)過程中出現(xiàn)開裂等缺陷。

在一些半導(dǎo)體材料（如硅、鍺等）的晶體生長過程中，可以提供溫度梯度，用于控制材料的熔化、結(jié)晶和生長方向。不同溫區(qū)可以模擬不同的熱環(huán)境，使得晶體在生長過程中能夠按照預(yù)定的方向和速率生長，有利于提高晶體的質(zhì)量和性能，例如減少晶體中的缺陷和雜質(zhì)。

對于已經(jīng)制備好的半導(dǎo)體器件，需要進(jìn)行熱處理來改善其電學(xué)性能。可以通過設(shè)置不同的溫區(qū)，對器件進(jìn)行退火、擴(kuò)散等熱處理工藝。例如，在半導(dǎo)體器件的退火過程中，利用不同溫區(qū)控制溫度和氣氛，消除器件中的晶格缺陷，激活摻雜原子，提高器件的性能和可靠性。

主要技術(shù)參數(shù)：