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下置四靶磁控濺射鍍膜儀
  • 下置四靶磁控濺射鍍膜儀
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貨物所在地:河南鄭州市

產(chǎn)地: 鄭州

更新時間:2024-12-03 14:03:46

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下置四靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜等。該三靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比,其不僅應(yīng)用廣泛,且具有體積小便于操作的優(yōu)點,是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備

下置四靶磁控濺射鍍膜儀為我公司研發(fā)的配有兩個靶位的實驗室專用鍍膜儀,設(shè)備配有兩臺直流電源,兩臺射頻電源,可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜等。

磁控濺射相較于普通的等離子濺射擁有能量高速度快的優(yōu)點,鍍膜速率高,樣品溫升低,是典型的高速低溫濺射。磁控靶配有水冷夾層,水冷機能夠有效的帶走熱量,避免熱量在靶面聚集,使磁控鍍膜能長時間穩(wěn)定工作。

本型號采用靶下置布局,樣品臺在上方,與靶面高度可通過程序**可調(diào),并且可旋轉(zhuǎn)加熱,性能優(yōu)異。

下置四靶磁控濺射鍍膜儀技術(shù)參數(shù):

產(chǎn)品名稱

下置四靶磁控磁控濺射鍍膜儀

產(chǎn)品型號

CY-MSH500X-Ⅳ-DCDCRFRF-SS

供電電壓

AC220V,50Hz

整機功率

6KW

極限真空度

5x10-4Pa

樣品臺

尺寸

150mm

高度

上下70mm**可調(diào)

加熱溫度

≤850℃

轉(zhuǎn)速

1-20rpm

磁控濺射頭參數(shù)

數(shù)量

4個2"磁控濺射頭

冷卻方式

水冷,所需流速10L/min

水冷機規(guī)格

10L/min流速的循環(huán)水冷機

真空腔體

腔體尺寸

φ500mm X550mm H

腔體材料

不銹鋼

觀察窗口

φ100mm

開啟方式

前開門式

氣體流量控制器

1路質(zhì)量流量計用于控制Ar流量,量程為:200SCCM  Ar;

真空泵

配有一套分子泵系統(tǒng),抽速1200L/S

膜厚儀

石英振動薄膜測厚儀一臺,分辨率0.10 ?

濺射電源

直流電源2臺,500W,適用于制備金屬膜

射頻電源2臺,500W,適用于非金屬鍍膜

操作方式

CYKY自研專業(yè)級控制系統(tǒng)

整機尺寸

1250mm X 1000mm X2000mm

整機重量

500kg




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