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本設備為帶過渡艙三靶磁控濺射鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領域、光學領域、特殊陶瓷制備等領域均有應用，也可實驗室SEM樣品制備。
設備配有三支磁控靶，兩套直流電源，可用于鍍多層導電金屬膜。同時設備具有主腔室和過渡艙兩部分，過渡艙配有磁力推桿，兩個艙室之間裝有真空閘板閥；用戶可以在主腔室進行濺射工作的同時，在過渡艙裝填樣品，并進行真空預抽，待主腔室濺射完成后即可將樣品通過磁力推桿推入主腔室的樣品臺。這樣的設計能夠減少主腔室抽放真空的次數，不僅能有效節(jié)省時間，更能保證更好的本地真空，有效提高鍍膜質量.
項目 | 明細 | |
產品型號 | CY-MSH325G-III-DCDCRF-SS | |
供電電源 | VAC 110, 60Hz | |
樣品臺 | 位置 | 下部，帶擋板 |
直徑尺寸 | φ150mm | |
可調轉速 | 0-20rpm 可調 | |
加熱溫度 | RT~500oC | |
真空腔體 | 腔體尺寸 | φ325xH510mm |
腔體材料 | 304 不銹鋼 | |
內壁處理 | 電解拋光 | |
密封方式 | 氟橡膠密封 | |
觀察窗口 | φ100mm（帶擋板） | |
磁控靶槍 | 數量 | 3 |
擺頭角度 | 可調角度 -45~45 度 | |
濺射方向 | 向下濺射 | |
靶材平面 | 圓形平面靶 | |
靶材直徑 | 2英寸 | |
靶材厚度 | *厚3mm | |
直流電源 | 數量 | 2臺 |
電源功率 | 0~500W | |
輸出電壓 | 0～600V | |
zui大輸出電流 | 1A | |
啟動時間 | 1~10S | |
射頻電源 | 數量 | 1臺 |
電源功率 | 0~500W | |
射頻頻率 | 13.56MHz | |
匹配方式 | 自動匹配 | |
反射功率 | ≦100W | |
功率穩(wěn)定性 | ±0.1% | |
膜厚監(jiān)測儀 | 通道數 | 單通道 |
測量精度 | 0.1 ? | |
測量速度 | 100ms-1s/次，可設置測量范圍：500000?（鋁） | |
標準傳感器晶體 | 6MHz | |
適用晶片尺寸 | Φ14mm | |
真空系統 | 前級泵 | 雙極旋片泵，抽速1.1L/s |
渦輪分子泵 | 抽速600L/s 額定轉速：27000rpm 啟動時間：≦5min 冷卻方式：水冷 | |
真空度 | 5x10-4Pa | |
真空測量 | 復合真空計，測量范圍10-5Pa ~ 105 Pa | |
過渡倉 | 腔體尺寸要適用于*大4英寸的晶圓 配備分子泵組： 前級泵：VRD-4，抽速1.1L/s 分子泵：日本TG60F，抽速60L/s | |
水冷機 | 冷卻水流速 | 10L/min |
整機功率 | 0.1KW | |
冷卻功率 | 50W/℃ | |
水箱容量 | 9L | |
氣體控制 | 1路質量流量計：Ar氣，范圍0-200sccm | |
控制系統 | CYKY自研專業(yè)級控制系統 | |
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