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等離子增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備
  • 等離子增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備
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貨物所在地:河南鄭州市

更新時間:2025-07-24 21:00:08

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等離子增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù),基本溫度低,沉積速率快,在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜。

簡單介紹:

等離子增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù),基本溫度低,沉積速率快,在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜詳情介紹:化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù),基本溫度低,沉積速率快,在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜質(zhì)量好,針孔較少,不易龜裂,適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件,可廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
主要功能及特點:
等離子增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備利用平板電容式輝光放電原理,將通入沉積室的工藝氣體解離并產(chǎn)生等離子體,被解離的基團(tuán)在等離子體中重新發(fā)生化學(xué)反應(yīng),由于等離子體存在,促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離,促進(jìn)反應(yīng)活性基團(tuán)的生成,從而降低沉積溫度,在具有一定溫度的基片上沉積形成薄膜??筛鶕?jù)工藝調(diào)節(jié)等離子體的密度和能量,控制薄膜的生長速率和微結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品參數(shù):


等離子增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備



產(chǎn)品名稱

桌面式4英寸平板等離子體增強化學(xué)氣相沉積PECVD

產(chǎn)品型號

CY-PECVD-240T-SS

供電電源

AC220V 50Hz

射頻電源

信號頻率

13.56MHz

功率輸出范圍

0~500W (還可選擇150W, 300W, 1000W)

工作腔體

加熱溫度

RT-500℃(還可選擇600℃,800℃,1000℃等)

樣品臺尺寸

Φ100mm(兼容4英寸及以下樣品)

樣品臺轉(zhuǎn)速

1-20rpm 可調(diào)

腔體材質(zhì)

不銹鋼

觀察窗

Φ60mm, 帶擋板

供氣系統(tǒng)

通道數(shù)

3 (可根據(jù)需要選擇其他通道數(shù),其他氣體種類,其他測量范圍)

測量單位

質(zhì)量流量計

測量范圍

A 通道: 0200SCCM for O2  

B通道: 0200SCCM for N2

C通道: 0200SCCM for Ar

真空系統(tǒng)

前級泵抽速

1.1L/s

分子泵抽速

60L/s

真空測量

復(fù)合真空計

真空度

5.0*10-3Pa

水冷機(jī)

水流速

10L/min

冷卻功率

50W/



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