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貨物所在地：河南鄭州市
更新時(shí)間：2025-07-24 21:00:08
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簡(jiǎn)單介紹：
CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導(dǎo)體、光電子、能源、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域都有重要應(yīng)用
詳情介紹：
CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術(shù)，通過(guò)在高溫下將氣體反應(yīng)物質(zhì)與基底表面反應(yīng)，形成薄膜。
1. 反應(yīng)室溫度：通常在幾百到千度之間，具體取決于所需的反應(yīng)溫度和材料。
2. 反應(yīng)氣體：根據(jù)所需的薄膜材料和結(jié)構(gòu)，可以使用不同的反應(yīng)氣體，如氨氣、氫氣、氧氣、二氧化硅等。
3. 壓力范圍：通常在幾百帕到幾千帕之間，具體取決于反應(yīng)物質(zhì)和反應(yīng)條件。
4. 反應(yīng)時(shí)間：根據(jù)所需的薄膜厚度和質(zhì)量，反應(yīng)時(shí)間可以從幾分鐘到幾小時(shí)不等。
5. 基底材料：CVD系統(tǒng)可以用于各種基底材料，如硅、玻璃、金屬等。
6. 應(yīng)用領(lǐng)域：CVD氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導(dǎo)體、光電子、能源、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域都有重要應(yīng)用。
產(chǎn)品名稱(chēng) | CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) | |
產(chǎn)品型號(hào) | CY-PECVD100-1200-Q | |
頻電源 | 信號(hào)頻率 | 13.56MHz±0.005% |
功率輸出 | 0~300W | |
*大反射功率 | 100W | |
反射功率 | <3W (*大功率時(shí)) | |
功率穩(wěn)定性 | ±0.1% | |
管式爐 | 管子材質(zhì) | 高純石英 |
管子外徑 | 100mm | |
爐膛長(zhǎng)度 | 440mm | |
加熱區(qū)長(zhǎng)度 | 200mm+200mm (雙溫區(qū)) | |
連續(xù)工作溫度 | ≦1100℃ | |
溫控精度 | ±1℃ | |
溫控模式 | 30段程序控溫 | |
顯示模式 | LCD觸摸屏 | |
密封方式 | 304 不銹鋼真空法蘭 | |
供氣系統(tǒng) | 通道數(shù) | 6通道 |
測(cè)量單元 | 質(zhì)量流量計(jì) | |
測(cè)量范圍 | A 通道: 0～200SCCM， 氣體為H2 | |
B 通道: 0～200SCCM，氣體為CH4 | ||
C 通道: 0～200SCCM，氣體為 C2H4 | ||
D通道: 0～500SCCM，氣體為 N2 | ||
E通道: 0～500SCCM，氣體為 NH3 | ||
F通道: 0～500SCCM， 氣體為 Ar | ||
測(cè)量精度 | ±1.5%F.S | |
工作壓差 | -0.15Mpa~0.15Mpa | |
接頭規(guī)格 | 1/4" 卡套接頭 | |
氣體混合罐 | 1L | |
真空系統(tǒng) | 機(jī)械泵 | 雙極旋片泵 |
抽速 | 1.1L/S | |
真空測(cè)量 | 電阻規(guī) | |
極限真空 | 0.1Pa | |
抽氣接口 | KF16 | |
滑 軌 | 爐體可以滑動(dòng)，實(shí)現(xiàn)快速降溫 | |
供電電源 | AC220V 50Hz | |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
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