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鹵素?zé)鬜TP退火爐
  • 鹵素?zé)鬜TP退火爐
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貨物所在地:河南鄭州市

更新時(shí)間:2025-07-24 21:00:08

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鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償,溫度控制**,溫度重復(fù)性高,客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì),是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇

簡單介紹:

鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償,溫度控制**,溫度重復(fù)性高,客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì),是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇。


技術(shù)特色:

• 真正的基片溫度測量,無需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償

• 紅外鹵素管燈加熱

• 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性

• 快速數(shù)字PID溫度控制

• 不銹鋼冷壁真空腔室

• 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

• 結(jié)構(gòu)緊湊,小型桌面系統(tǒng)

• 帶觸摸屏的PC控制

• 兼容常壓和真空環(huán)境,真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr,采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

• *高3路氣體(MFC控制)

• 沒有交叉污染,沒有金屬污染

真實(shí)基底溫度測量技術(shù)介紹:


鹵素?zé)鬜TP退火爐


如上圖,由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面,樣品被加熱,傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測量基片溫度,由于熱電偶與基片有一定距離,測量的不是基片真實(shí)的溫度,必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

 采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測溫,如上圖,接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連,工作時(shí)片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置,陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面,樣品被加熱,片狀Real T/C KIT同時(shí)被加熱,由于基片與Real T/C KIT很近,它們之間也會進(jìn)行熱量傳遞,并很快達(dá)到熱平衡,所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實(shí)的溫度,從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測量。

技術(shù)參數(shù):


產(chǎn)品名稱

鹵素?zé)?/span>RTP退火爐

產(chǎn)品型號

CY-RTP1000-Φ150-T

基片尺寸

6英寸

基片基座

石英針(可選配SiC涂層石墨基座)

溫度范圍

150-1250

加熱速率

10-150/S

溫度均勻性

≤±1.5% (@800, Silicon wafer)

≤±1.0% (@800, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

溫度控制精度

±3

溫度重復(fù)性

±3

真空度

5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

氣路供應(yīng)

標(biāo)準(zhǔn)1N2吹掃及冷卻氣路,由MFC控制(*多可選3路)

退火持續(xù)時(shí)間

35min@1250

溫度控制

快速數(shù)字PID控制

尺  寸

870mm*650mm*620mm



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