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CY-MS500S-2TA1S-離子源電子束蒸發(fā)鍍膜儀
  • CY-MS500S-2TA1S-離子源電子束蒸發(fā)鍍膜儀
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貨物所在地:河南鄭州市

更新時間:2025-07-24 21:00:08

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離子源電子束蒸發(fā)鍍膜儀主要用于制備各種導(dǎo)電薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、光學(xué)薄膜,微納器件微加工,電鏡樣品預(yù)處理等,尤其適用蒸鍍各種難熔金屬材料。不僅可用于玻璃片、硅片等硬質(zhì)襯底,也可用用于PDMS、PTFE、PI等柔性襯底上鍍膜

簡單介紹:

離子源電子束蒸發(fā)鍍膜儀主要用于制備各種導(dǎo)電薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、光學(xué)薄膜,微納器件微加工,電鏡樣品預(yù)處理等,尤其適用蒸鍍各種難熔金屬材料。不僅可用于玻璃片、硅片等硬質(zhì)襯底,也可用用于PDMS、PTFE、PI等柔性襯底上鍍膜

用于制造各種光學(xué)元件上的增透膜、反射膜、濾光膜等。如在鏡片上鍍制增透膜可減少反射光,增加透光率,提高成像質(zhì)量;在激光反射鏡上鍍制高反射率膜,能有效提高激光的反射效率。

在新材料的研發(fā)過程中,可利用離子源電子束蒸發(fā)鍍膜儀制備各種新型薄膜材料,研究其物理、化學(xué)和光學(xué)等性能,為新材料的開發(fā)和應(yīng)用提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)支持。

該儀器可用于研究材料的表面改性、界面特性等表面科學(xué)問題。通過控制鍍膜工藝參數(shù),制備不同結(jié)構(gòu)和性能的薄膜,深入了解材料表面與薄膜之間的相互作用,為表面工程技術(shù)的發(fā)展提供理論依據(jù)。

技術(shù)參數(shù):


使用條件

環(huán)境溫度

5℃~40℃

電源

380V

功率

≤20KW

水壓

≤2.5bar

真空室尺寸

蒸發(fā)室尺寸

φ500×H500(㎜)

過渡倉庫

φ280×H300(㎜)

電子槍

新型電子槍1套,6穴坩堝

離子源

考夫曼離子源K08一套

樣品轉(zhuǎn)盤

樣品尺寸:≤φ150mm,樣品可旋轉(zhuǎn),也可上下升降調(diào)節(jié)樣品到電子槍距離(樣品托形狀按用戶要求設(shè)計),加熱溫度≤500℃

系統(tǒng)真空度

極限真空

經(jīng)12~24小時烘烤,連續(xù)抽氣≤5x10-5Pa


抽氣速率

從大氣開始40分鐘內(nèi)真空度≤5x10-4Pa


系統(tǒng)漏率

整機漏率≤1×10-8Pa.L/s 停泵關(guān)機12小時后,測量真空室真空度≤10Pa

抽真空系統(tǒng)

TY1200分子泵+機械泵(VRD-30)系統(tǒng),并設(shè)置旁路抽氣

鍍膜監(jiān)測

采用TM160膜厚儀進行監(jiān)測

鍍膜厚度的不均勻度

≤3%

離子源電子束蒸發(fā)鍍膜儀



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