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小型臺(tái)式單靶磁控濺射鍍膜儀
  • 小型臺(tái)式單靶磁控濺射鍍膜儀
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貨物所在地:河南鄭州市

更新時(shí)間:2024-12-20 17:43:09

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小型臺(tái)式單靶磁控濺射鍍膜儀可用于金屬薄膜的制備,在電子領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應(yīng)用,也可實(shí)驗(yàn)室SEM樣品制備

簡(jiǎn)單介紹:

小型臺(tái)式單靶磁控濺射鍍膜儀可用于金屬薄膜的制備,在電子領(lǐng)域、光學(xué)領(lǐng)域、特殊陶瓷制備等領(lǐng)域均有應(yīng)用,也可實(shí)驗(yàn)室SEM樣品制備。

詳情介紹:

本套配置采用石英真空腔體,鍍膜過(guò)程全向可視,便于實(shí)驗(yàn)的觀察記錄,腔體設(shè)計(jì)開(kāi)啟方便,易于清理,十分適合實(shí)驗(yàn)室使用。同時(shí)設(shè)備配有旋轉(zhuǎn)加熱樣品臺(tái),可以有效提高薄膜的均勻性和成膜的質(zhì)量。整機(jī)采用模塊化設(shè)計(jì),操作邏輯簡(jiǎn)單,操作界面直觀,利于上手。

  • 可用于在半導(dǎo)體芯片的表面沉積金屬薄膜,如鋁(Al)、銅(Cu)等作為電極材料。這些金屬薄膜電極對(duì)于芯片內(nèi)的電流傳導(dǎo)起著關(guān)鍵作用,能夠保證芯片的電學(xué)性能,例如在制造晶體管時(shí),為源極、漏極和柵極等結(jié)構(gòu)提供高質(zhì)量的導(dǎo)電層。

  • 也可以用于沉積絕緣薄膜,如二氧化硅(SiO?)、氮化硅(Si?N?)等。這些絕緣薄膜可作為半導(dǎo)體器件中的介質(zhì)層,用于隔離不同的導(dǎo)電區(qū)域,防止電流泄漏,從而提高半導(dǎo)體器件的性能和可靠性。


技術(shù)參數(shù):

產(chǎn)品名稱

小型臺(tái)式單靶磁控濺射鍍膜儀

產(chǎn)品型號(hào)

CY-MSZ180-I-DC-Q

樣品臺(tái)

外形尺寸

φ100mm

震動(dòng)頻率

20Hz-20000Hz

磁控靶槍

配一支兩英寸磁控靶,靶材尺寸:直徑50mm,厚度≦3mm

真空腔體

腔體尺寸

φ180mm X 200mm

觀察窗口

全向透明

腔體材料

高純石英

開(kāi)啟方式

上蓋拆卸式

真空系統(tǒng)

前級(jí)泵

低噪音雙極旋片泵

分子泵

低噪音大抽速渦輪分子泵

真空測(cè)量

復(fù)合真空計(jì),量程:10-5~105Pa

抽氣接口

KF40

排氣接口

KF16

系統(tǒng)真空

1.0×10-4Pa

供電電源

AC 220V 50/60Hz

抽氣速率

分子泵抽速600L/s,前級(jí)泵抽速1.1L/s

電源配置

電源數(shù)量

直流電源一套

輸出功率

300W


其他參數(shù)

供電電壓

AC220V,50Hz

整機(jī)功率

2kW

整機(jī)尺寸

550mm X 350mm X1200mm


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