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傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來測量溫度及與溫度有關(guān)的參數(shù)。在溫度檢測精度要求比較高的場合，這種傳感器比較適用。主要經(jīng)營：傳感器，變頻器，電磁閥，斷路器，PLC，接近開關(guān)，繼電器等元件
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
壓力傳感器
傳感器目前應(yīng)用最為廣泛的壓電材料之一，就是高壓電特性的PZT材料已經(jīng)被大量應(yīng)用在了揚聲器、超聲成像探頭、超聲換能器、蜂鳴器和超聲電機等電子器件中。最早人們利用溶膠-凝膠法制備了PZT薄膜，并在MEMS器件中進行實際應(yīng)用，如驅(qū)動器、換能器傳感器。隨著薄膜制備技術(shù)的提高，開始涌現(xiàn)出多種制備手段，并且也利用多種技術(shù)制備了PZT壓電薄膜，如磁控濺射技術(shù)、脈沖激光沉積技術(shù)（PLD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和金屬化合物氣相沉積技術(shù)等。PZT壓電薄膜與非鐵電的ZnO材料相比較，最重要的優(yōu)點就是PZT材料具有鐵電性，在一定的外加電場和溫度條件下，PZT材料內(nèi)部電疇發(fā)生轉(zhuǎn)動，自發(fā)極化方向重新確定，這樣使得在多晶材料中原本隨機排列的極化軸通過電場的作用取向排列而產(chǎn)生了凈壓電響應(yīng)。所以PZT材料的壓電性能要高于ZnO材料，是ZnO的兩倍以上。在光電子學(xué)、微電子學(xué)、微機電系統(tǒng)和集成光學(xué)等領(lǐng)域，PZT薄膜已經(jīng)被廣泛應(yīng)用。PZT薄膜材料具有高介電常數(shù)、低的聲波速度、高的耦合系數(shù)，橫向壓電系數(shù)和縱向壓電系數(shù)在三者之中最高，也被視為三者之中最為有前途的壓電薄膜材料，但是PZT薄膜制備過程復(fù)雜，與MEMS工藝兼容性較差，制備過程須嚴格控制各組分的比例，壓電特性受到晶向、成分配比、顆粒度等因素影響，重復(fù)制備高質(zhì)量的PZT薄膜存在較大困難。目前工業(yè)界最常采用的壓電材料仍以AlN為主流。
壓力傳感器
MDF-2-250+E04+M01
TF-M-PT100-M3 L=250
NT67-XP-VA-2XM12/370-2S-KN-KT
GAW-5
EDS348-5-016-Y00
FPD10N-020GDA01501
MDF-5-025+E05+M01
MTW-9-100+E08+P
MDF-3-025+E04
MDW-3-025+E04+M01
MTF-3-100+E04+P
MTW-9-300+E08+M01+P
MTF-9-100+E08+P
MTW-9-100+E08+M01+P
MDF-5-250+E05+M01
MDF-5-400+E05+M01
MTW-9-100+E08+M01+0
MDF-2-250+E04+M01
MDF-5-025+E05+M01
OLFB-10413-001
EK2-G1/2-VA-M3/300
EK2-G1/2-VA-M3/500
