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[供應(yīng)]YK8202B-變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀
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  • YK8202B-變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀
貨物所在地:
江蘇揚(yáng)州市
更新時(shí)間:
2021-07-26 14:39:55
有效期:
2021年7月26日 -- 2022年7月27日
已獲點(diǎn)擊:
49
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產(chǎn)品分類(lèi)品牌分類(lèi)

更多分類(lèi)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

本儀器是一種*的測(cè)量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻高壓下,測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)。它淘汰了QSI高壓電橋,具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印、使用方便、無(wú)需換算、自帶高壓,抗*力強(qiáng), 測(cè)試時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn);另外,本儀器針對(duì)電容式電壓互感器(CVT)試驗(yàn)困難的特點(diǎn),增設(shè)了外接法測(cè)試,外接標(biāo)

詳細(xì)介紹

主要特點(diǎn)

■ 自動(dòng)簡(jiǎn)單

接線(xiàn)簡(jiǎn)單(正接法兩根線(xiàn),反接可使用一根線(xiàn)),所有電纜線(xiàn)均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,測(cè)量電壓緩升、緩降,全自動(dòng)測(cè)量,結(jié)果直讀,無(wú)須換算。

■ 多種測(cè)量方式

可選擇正/反接線(xiàn)、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測(cè)量。正接線(xiàn)可測(cè)量高壓介損。

■ 抗*力強(qiáng)

采用自動(dòng)跟蹤干擾抵償電路,將矢量運(yùn)算法與移相法結(jié)合,有效地消除強(qiáng)電場(chǎng)干擾對(duì)測(cè)量的影響,適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)。

■ CVT測(cè)量

*自激法測(cè)量CVT功能,不需外加任何設(shè)備,可完成不可拆頭CVT的測(cè)量。一次接線(xiàn)(三根電纜,不用倒線(xiàn)),一個(gè)測(cè)量過(guò)程(大約1分鐘),兩個(gè)終測(cè)量結(jié)果(C1和C2的介損及電容值)。測(cè)量過(guò)程中文顯示,能實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)自激電流值和試驗(yàn)電壓(高壓)值。能消除引線(xiàn)對(duì)測(cè)試的影響,測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

■ 儀器具有RS232接口,與計(jì)算機(jī)連接便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)和處理及保存

 

技術(shù)參數(shù)

■ 工作條件:

   環(huán)境溫度 -10℃~50℃ 相對(duì)濕度 30%~85%

■ 測(cè)量范圍:

   介質(zhì)損耗(tgδ)測(cè)量范圍:0~* 分辨率:0.01%

   電容量(Cx)測(cè)量范圍:

■ 內(nèi)接法 10kV時(shí) 3pF~40000pF試驗(yàn)    0.5kV時(shí) 60pF~0.8μF

■ 外接法

   “外接升壓器方式”(外接高壓、內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)電容)

   試驗(yàn)電壓10kV

   “外接Cn”方式”(外接高壓、外部標(biāo)準(zhǔn)電容器)

   試驗(yàn)電壓由標(biāo)準(zhǔn)電容器和被試品決定

   (Umax=Imax/ωCn)

   標(biāo)準(zhǔn)回路大試驗(yàn)電流(Imax):1A(In=UωCn)

   被試回路大試驗(yàn)電流(Imax):1A(Ix=UωCx)

■ 內(nèi)部升壓器輸出能力

   輸出電壓:0.5kV~10kV(分為20檔)

   大輸出電流:10kV時(shí)140mA

  1、環(huán)境:-5℃~40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)間日照)

  2、相對(duì)濕度:30%~70%

  3、供電電源:電壓:220V±10%,頻率50±Hz

  4、外形尺寸:長(zhǎng)*寬*高=435mm*300mm*300mm

  5、重量:20kg

  6、輸出功率:1KVA

  7、顯示分辨率:3位、4位(內(nèi)部全是6位)

  8、測(cè)試方法:正接法、反接法、外接法

  9、測(cè)量范圍:內(nèi)接試驗(yàn)電壓:≤60000PF

               外接試驗(yàn)電壓:≤10μF

 10、基本測(cè)量誤差:

            介質(zhì)損耗(tgδ):2%±0.09%

電容容量(Cx):1.5%±2PF

 

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