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AEG Thyro-A1A 400-30H1調(diào)功器

CIRCLE SEAL  D532B-1M-55
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CLEVEAND CVT-P-20
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Clinical & Derm S100
CNT SM.200.3 min 24V 50Hz
COFI TRK1-20CVD
Collins 6745  0.5 Micron Teflon Hydrophobic Element
CONDOR 253761
Corbetta MEM56ST
COSTECH A17M23SWB MT0

德國(guó)THOMAS 776S SEK 197高速脫水機(jī)

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CUDERMD100D-Squame Standard Sampling Discs貼片

SIEMENS3EB2 003-7D避雷器

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IMOSMT-2AO  AO模擬量輸出模塊

IMOSMT-MD-4AI AI模擬量輸入模塊

IMOSMT-PM04   PM04儲(chǔ)存卡

IMOSMT-PC03   SMT程序下載線

IMOSMT-USB PM04儲(chǔ)存卡讀卡器

BD334224 5L/桶 關(guān)機(jī)液 

TELWIN5500拉拔機(jī)

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PMVF5-MEC-420

schunk1428546 SWO-L-EB9-K ( EB9伺服模塊機(jī)器人側(cè)9121-EB9-M ATI)

schunk1428551 SWO-L-EB9-A (EB9伺服模塊工具側(cè)9121-EB9-T ATI)

 AEG 調(diào)功器通訊模塊_Bus module ethernet_Mat:2000000846 A(2000000846)

D-SquameD100

D-SquameD500

D-SquameD501

PFANNENBERG11611801050

PFANNENBERG11710001050

LEGRAND004876

可控硅型號(hào)

編輯

按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定，普通型可控硅稱為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號(hào)采用如下格式標(biāo)注:

額定速態(tài)平均屯成系列共分為14個(gè)，如表1一5所示。正反向重復(fù)蜂值屯壓級(jí)別規(guī)定1000V以下的管子每100V為一級(jí)，1000V以上的管子每200V為一級(jí)。取電壓教除以100做為級(jí)別標(biāo)志，如表1-6所示。

通態(tài)平均電壓組別依電壓大小分為9組，用宇毋表示，如表1一所示。

例如.KP500-12D表示的是通態(tài)平均電流為500A,額定(正反向重復(fù)峰值)電壓為1200V，管壓降(通態(tài)平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。

綜上所述，小結(jié)如下:

(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由

PNPN四層組成

(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽(yáng)極電壓;(2)受正向門極電壓。

(3)可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。

(4)可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū)。

(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致:

電流

⒈ 額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。

⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。

⒊ 控制極觸發(fā)電流（IGT），俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。

4，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。

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