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VCSEL晶圓
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貨物所在地:廣東深圳市

更新時(shí)間:2025-04-06 21:00:08

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VCSEL晶圓
850 nm VCSEL 外延結(jié)構(gòu)具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低閾值電流和適當(dāng)?shù)墓庾V特性,適用于電信和光通信應(yīng)用。

VCSEL晶圓

VIGO提供常見波長(zhǎng)的VCSEL外延,例如850nm,940nm,1550nm;也可提供結(jié)構(gòu)定制。可提供外延整片或者DIE;無(wú)論是處于產(chǎn)品設(shè)計(jì)的概念階段,需要對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品進(jìn)行創(chuàng)新升級(jí),還是尋求開箱即用的解決方案。 我們都可以為客戶提供研發(fā)項(xiàng)目的技術(shù)支持,并提出新的方法和途徑來(lái)生產(chǎn)符合客戶要求的外延結(jié)構(gòu)。

850 nm VCSEL 外延結(jié)構(gòu)具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低閾值電流和適當(dāng)?shù)墓庾V特性,適用于電信和光通信應(yīng)用。

主要特點(diǎn)

厚度公差與規(guī)格<0.01%

載體濃度公差 <+/-10%

標(biāo)準(zhǔn)波長(zhǎng)公差<+/-5nm

反射率下降位置 <+/-3nm(不包括5mm邊環(huán))

芯片的顯微鏡圖像:

芯片尺寸:

VCSEL晶圓產(chǎn)品性能

VCSEL,切割前的裸片,T=20 | 當(dāng)前孔徑Φ=~4μm

電光特性:

PARAMETERSYMBOLTEST COND.SAMPLE NO.21_1L
Emission wavelengthλR[nm]POP=2.0mW854
Threshold currentITh [mA]——0.7
Threshold voltageVTH [V]——1.95
Laser currentlop [mA]POP=2.0mW2.63
Laser voltageUop [V]POP=2.0mW2.37
Slope efficiencyns [W/A]——1.02
Output powerPopt [mW]POP=6.0mW4.93
Differential series resistanceRs [2]POP=2.0mW180
Thermal resistance(VCSEL chip)Rthremal[K/mW]——6.2-7.8
Side mode suppression ratioSMSRPOP=2.0mW25
Wavelength tuning over temperature[nm/K]——0.052
Wavelength tuning over currentdλ/dl [nm/mA]——0.72-0.85

絕對(duì)最大額定值:

溫度:儲(chǔ)存(-40℃至120℃),工作(-20℃至110℃)

電氣:反向電壓(5V)CW電流(10mA),脈沖電流(7mA)


FP-DIP的波長(zhǎng)分布

MQW的光致發(fā)光掃描

SIMS-二次離子質(zhì)譜

Si和C摻雜劑的分布。 DBR 和 QW 中的可見 Al(x)Ga(1-x)As 層/有源區(qū)中的勢(shì)壘

光譜特性

電光特性

產(chǎn)品應(yīng)用

面向光通信、3D視覺(jué)、人臉識(shí)別、原子鐘、磁強(qiáng)計(jì)、激光雷達(dá)、醫(yī)療醫(yī)美、AR/VR等等行業(yè)廠商的VCSEL外延需求




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