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貨物所在地：北京北京市
更新時間：2025-06-22 21:00:34
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陶瓷片介電常數(shù)試驗儀
大電容值直接測量顯示功能： 測量值可達25nF
介質(zhì)損耗系數(shù)： 精度 萬分之一 / LCD直接顯示
介電常數(shù)： 精度 千分之一 / LCD直接顯示
材料測試厚度： 0.1mm-10mm
陶瓷片介電常數(shù)試驗儀
信號源范圍DDS數(shù)字合成信號：10KHZ-70MHZ
信號源頻率覆蓋比： 7000:1
信號源頻率精度6位有效數(shù)： 3×10-5 ±1個字
采樣精度： 12BIT 高精度的AD采樣，保證了Q值的穩(wěn)定性，以及低介質(zhì)損耗材料測試時候的穩(wěn)定性
Q測量范圍： 1-1000自動/手動量程
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應滿足下列表中的技術指示要求。
在Cn=100 pF R4=3183.2（Ω）時
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 40pF—20000pF | ±0.5% Cx±2pF |
介損損耗tgδ | 0-1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
在Cn=100 pF R4=318.3（Ω）時
測量項目 | 測量范圍 | 測量誤差 |
電容量Cx | 4pF—2000pF | ±0.5% Cx±3pF |
介損損耗tgδ | 0-0.1 | ±1.5% tgδx±0.0001 |
Q分辨率： 4位有效數(shù),分辨率0.1
1.平板電容器：
極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm
2.夾具插頭間距：25mm±0.01mm
3.夾具損耗正切值≤4×10－4（1MHz）
4．測微桿分辨率：0.001mm
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