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半導體（SEMI）附膜晶圓應(yīng)力檢測的應(yīng)用
閱讀：1824 發(fā)布時間：2022-5-7
工藝介紹
在高溫環(huán)境中，由于化學氣相沉積（CVD）的涂層與晶圓的膨脹率不同，容易產(chǎn)生局部形變，形變則會產(chǎn)生應(yīng)力，在多層的反復加工中應(yīng)力會越來越大，最終導致晶圓損壞報廢。
因此化學氣相沉積（CVD）鍍膜的細分工位通常使用激光退火的方式來消除應(yīng)力，最后通過應(yīng)力檢測機確認消除效果，以此形成應(yīng)力把控的閉環(huán)。
設(shè)備前端模塊（EFEM）將晶圓送入測量腔內(nèi)，隨后晶圓經(jīng)翻轉(zhuǎn)運輸至干涉儀的測量視野范圍中檢測形變量，通過應(yīng)力計算判定退火品質(zhì)后，再翻轉(zhuǎn)運輸至設(shè)備前端模塊（EFEM）進行OK/NG的分類。
課題
1、如何精準地采集實時溫度
目前時域中常見的濾波方式，平均值（AVE）方式穩(wěn)定性好，可抗干擾差；中位值（MED）方式抗干擾好，可穩(wěn)定性差，在輸入干擾較大的情況下，用以上任意一種濾波難以精準獲取到實時的溫度值。
2、如何快速響應(yīng)細微的溫度變化趨勢？
解決方案
1、經(jīng)驗分布統(tǒng)計+專業(yè)的建模計算，推算批量數(shù)據(jù)
通過有限的溫度采樣值，例如中心的基準溫度值、變化趨勢、判定區(qū)間，并使用大數(shù)據(jù)仿真確定了更為合適的RMS濾波算法，最后經(jīng)過經(jīng)驗分布函數(shù)推算/模擬出大量的實時溫度數(shù)據(jù)。
2、通過數(shù)學期望算法，實時估算基準值
首先建立數(shù)學期望模型，然后采集開始檢測的溫度值（過濾后），最后通過一系列的推算，在動態(tài)測量中預估出基準溫度值。
