145GHz光電探測(cè)器模塊(保偏光纖) 參考價(jià)：面議
145GHz光電探測(cè)器模塊(保偏光纖) 應(yīng)用?數(shù)據(jù)通信?電信?測(cè)試測(cè)量?微波光子學(xué)
硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 參考價(jià)：面議
硅 Si 光電平衡探測(cè)器 400~1100nm 100MHz 高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪 聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低...
145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖) 參考價(jià)：面議
145GHz光電探測(cè)器模塊(單模光纖) 產(chǎn)品總覽該產(chǎn)品是為數(shù)據(jù)通信（ 1T/bs PAM），電信和微波光子應(yīng)用而研發(fā)的145GHz超快光電探測(cè)器模塊。
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm 參考價(jià)：面議
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nmAPD 是具有通過(guò)施加反向電壓產(chǎn)生的內(nèi)部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (S...
1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 參考價(jià)：面議
1064nm 四象限Si光電探測(cè)器(N型硅象限 光敏面直徑 10mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)器件是N型硅象限探測(cè)器，當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí)，...
1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W) 參考價(jià)：面議
1064nm 四象限Si光電探測(cè)器( 光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W)產(chǎn)品應(yīng)用● 激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測(cè)量...
硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 參考價(jià)：面議
硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm...
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46) 參考價(jià)：面議
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46)硅雪崩光電二極管，光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm...
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm (400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3) 參考價(jià)：面議
硅 Si 雪崩光電二極管 905nm(400-1100nm光敏面直徑0.5mm LCC3)硅雪崩光電二極管，光譜響應(yīng)范圍從可見(jiàn)光到近紅外，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)905nm...
2mm SI光電探測(cè)器 （二極管） 參考價(jià)：面議
2mm SI光電探測(cè)器 （二極管）光纖通信、傳感、測(cè)距可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè)快速光脈沖檢測(cè)各種工業(yè)控制系統(tǒng)。
超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm 參考價(jià)：面議
超快SI光電探測(cè)器,光敏面直徑0.2mm器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100nm...
法蘭式SI光電探測(cè)器 光敏面積200um 二極管 參考價(jià)：面議
法蘭式SI光電探測(cè)器 光敏面積200um 應(yīng)用領(lǐng)域：光纖通信、傳感、測(cè)距可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè)快速光脈沖檢測(cè)各種工業(yè)控制系統(tǒng)。
SI光電探測(cè)器 光敏面積4mm（二極管） 參考價(jià)：面議
SI光電探測(cè)器 光敏面積4mm（二極管）應(yīng)用領(lǐng)域：光纖通信、傳感、測(cè)距可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè)快速光脈沖檢測(cè)各種工業(yè)控制系統(tǒng)。
6mm大光敏面硅（Si）光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
6mm大光敏面硅（Si）光電探測(cè)器產(chǎn)品總覽器件為硅PIN 光電二極管，在反向偏置條件下工作。峰值波長(zhǎng)在 940nm 左右,光譜探測(cè)范圍從 400nm~1100n...
8mm大光敏面（Si）硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
8mm大光敏面（Si）硅光電探測(cè)器 應(yīng)用領(lǐng)域：光纖通信、傳感、測(cè)距可見(jiàn)光至近紅外領(lǐng)域的光探測(cè)快速光脈沖檢測(cè)各種工業(yè)控制系統(tǒng)。
銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測(cè)器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP3000/2.2 參考價(jià)：面議
銦鎵砷 InGaAs 光電二極管探測(cè)器 2.2um擴(kuò)展型 GPD GAP3000/2.2產(chǎn)品應(yīng)用：氣體檢測(cè)碳?xì)浠衔飩鞲屑t外光譜光譜學(xué)SWIR光電探測(cè)
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型) 參考價(jià)：面議
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單 光子檢測(cè)的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測(cè)等領(lǐng) 域?qū)Ω咝?..
InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 （內(nèi)置TEC制冷型） 參考價(jià)：面議
銦鎵砷 InGaAsInGaAs PIN光電二極管 φ2mmInGaAs 光電二極管主要用于近紅外探測(cè)，具有高速、高靈敏度、低噪音、寬廣普響應(yīng)范圍（0.5 μm...
法蘭式InGaAS銦鎵砷探測(cè)器模塊 (900-1700nm 光敏面直徑 100um) 參考價(jià)：面議
法蘭式InGaAS銦鎵砷探測(cè)器模塊 (900-1700nm 光敏面直徑 100um)產(chǎn)品應(yīng)用● Q調(diào)制激光器監(jiān)控● 鎖模激光器輸出監(jiān)控● 微弱可見(jiàn)光探測(cè)器
3mm大光敏面銦鎵砷探測(cè)器模塊 900-1700nm 參考價(jià)：面議
3mm大光敏面銦鎵砷探測(cè)器模塊 900-1700nmC3A-2300LAE系列光電檢測(cè)模塊將光電二極管，放大電路和電源調(diào)理電路集成在一個(gè)小型化的模塊內(nèi)。不僅適用...
1mm高速擴(kuò)展型InGaAS光電探測(cè)器模塊 ( 880-2600nm Extended 銦鎵砷探) 參考價(jià)：面議
1mm高速擴(kuò)展型InGaAS光電探測(cè)器模塊 ( 880-2600nm Extended 銦鎵砷探)產(chǎn)品應(yīng)用● Q調(diào)制激光器監(jiān)控● 鎖模激光器輸出監(jiān)控● 微弱可見(jiàn)...
3mm擴(kuò)展型大光敏面銦鎵砷探測(cè)器模塊 參考價(jià)：面議
3mm擴(kuò)展型大光敏面銦鎵砷探測(cè)器模塊C3A-2300LAE系列光電檢測(cè)模塊將光電二極管，放大電路和電源調(diào)理電路集成在一個(gè)小型化的模塊內(nèi)。不僅適用于各種實(shí)驗(yàn)室光學(xué)...
InGaAs單元探測(cè)器 DC-100M 參考價(jià)：面議
InGaAs單元探測(cè)器 DC-100M高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈...
InGaAs單元探測(cè)器 DC-200M 參考價(jià)：面議
InGaAs單元探測(cè)器 DC-200M高速低噪聲光電平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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