1-16um 中紅外光浸沒(méi)式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列 參考價(jià)：面議
1-16um 中紅外光浸沒(méi)式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列PCI-4TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，采用光...
1-15um 中紅外光浸沒(méi)式MCT兩級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-2TE系列 TO8 參考價(jià)：面議
1-15um 中紅外光浸沒(méi)式MCT兩級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-2TE系列 TO8PCI-2TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器...
2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列 參考價(jià)：面議
2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列PVI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒(méi)的方式提高器件的性能參數(shù)，使...
2-13 um MCT中紅外非冷卻多結(jié)光伏探測(cè)器 PVM系列 參考價(jià)：面議
2-13 um MCT中紅外非冷卻多結(jié)光伏探測(cè)器 PVM系列PVM系列是基于復(fù)雜的HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外多結(jié)光伏探測(cè)器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器...
1-12um MCT非冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PC系列 參考價(jià)：面議
1-12um MCT非冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PC系列PC系列是基于復(fù)雜MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。器件在λopt時(shí)達(dá)到佳性能。
液氮制冷2-18um MCT探測(cè)器（MCT碲鎘汞） 參考價(jià)：面議
液氮制冷2-18um MCT探測(cè)器（MCT碲鎘汞）光譜響應(yīng) 2.0 - 18.1μm；光敏面 1mmx1mm；截止波長(zhǎng) 18.1µm
InGaAs 超低噪平衡探測(cè)器 UBD-100M-A 參考價(jià)：面議
InGaAs 超低噪平衡探測(cè)器 UBD-100M-AUBD系系列超低噪平衡探測(cè)模塊是原MBD系系列基礎(chǔ)上升級(jí)產(chǎn)品，相比較原MBD系列在其他參數(shù)相同條件下其本底噪...
InGaAs 超低噪平衡探測(cè)器 UBD-2.5G-A 參考價(jià)：面議
InGaAs 超低噪平衡探測(cè)器 UBD-2.5G-AUBD系系列超低噪平衡探測(cè)模塊是原MBD系系列基礎(chǔ)上升級(jí)產(chǎn)品，相比較原MBD系列在其他參數(shù)相同條件下其本底噪...
800~1800nm偏壓型大光敏面鍺光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
800~1800nm偏壓型大光敏面鍺光電探測(cè)器我們的10 GHz 光電探測(cè)器包含 PIN 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。 當(dāng)端接到示波器的 50 ...
800~1800nm偏壓型大光敏面鍺光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
800~1800nm偏壓型大光敏面鍺光電探測(cè)器我們的10 GHz 光電探測(cè)器包含 PIN 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。 當(dāng)端接到示波器的 50 ...
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用...
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用...
400-900nm超快光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
400-900nm超快光電探測(cè)器我們的10 GHz 光電探測(cè)器包含 PIN 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。 當(dāng)端接到示波器的 50 Ω 電阻時(shí)，可...
400-900nm超快光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
400-900nm超快光電探測(cè)器我們的10 GHz 光電探測(cè)器包含 PIN 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。 當(dāng)端接到示波器的 50 Ω 電阻時(shí)，可...
雪崩式光電探測(cè)器（APD）（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 參考價(jià)：面議
雪崩式光電探測(cè)器（APD）（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于...
雪崩式光電探測(cè)器（APD）（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 參考價(jià)：面議
雪崩式光電探測(cè)器（APD）（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于...
雪崩式光電探測(cè)器（APD）（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 參考價(jià)：面議
雪崩式光電探測(cè)器（APD）（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于...
雪崩式光電探測(cè)器（APD）（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 參考價(jià)：面議
雪崩式光電探測(cè)器（APD）（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(APD)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)PIN探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于...
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器筱曉光子的硅基放大光電探測(cè)器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光...
可見(jiàn)光自由運(yùn)行單光子探測(cè)器模組 參考價(jià)：面議
可見(jiàn)光自由運(yùn)行單光子探測(cè)器模組SPAD-VIS-FR是我司自主研發(fā)的一款自由運(yùn)行單光子探測(cè)器，可以探測(cè)到單光子水平的微弱光。其中，850nm單光子的典型探測(cè)效率...
近紅外門(mén)控型單光子探測(cè)器 參考價(jià)：面議
近紅外門(mén)控型單光子探測(cè)器SPAD-NIR-GM系列是我司自主研發(fā)的一款單光子探測(cè)器模組，它可以應(yīng)用于單光子水平或者微弱信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，設(shè)備采用銦鎵砷雪崩二極管作為...
近紅外光自由運(yùn)行單光子探測(cè)器 參考價(jià)：面議
近紅外光自由運(yùn)行單光子探測(cè)器近紅外自由運(yùn)行單光子探測(cè)器模組SPAD-NIR-FR是我司自主研發(fā)的一款自由運(yùn)行單光子探測(cè)器，可以探測(cè)到單光子水平的微弱光。其中，1...
190～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
190～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見(jiàn)光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，...
190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器 參考價(jià)：面議
190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見(jiàn)光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
5