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GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體
  • GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體
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貨物所在地:上海上海

更新時(shí)間:2025-07-25 14:05:43

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GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體型號(hào) : THZ-GASE-5-5-1
Z-cut:5 x 5 x 1mm
總覽:

GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體,擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點(diǎn)群,300K時(shí)禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數(shù)大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數(shù),這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y(cè)使用的是低于20飛秒的激光光源,GaSe發(fā)射-探測(cè)系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過(guò)對(duì)GaSe晶體厚度的選取,我們可以實(shí)現(xiàn)對(duì)THz波的頻率可選擇性控制。

注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對(duì)該晶體使用的一個(gè)很大限制在于質(zhì)軟,易碎。


產(chǎn)品特點(diǎn):

1.太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域;

2.GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體抗損傷閾值高;

3.非線性系數(shù)大;

4.CO2激光的SHG;

5.多種尺寸可選;

6.客戶導(dǎo)向的解決方案;

7.接受客戶定制服務(wù)。


GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體應(yīng)用:

1.太赫茲時(shí)域系統(tǒng);

2.太赫茲源晶體;

3.中遠(yuǎn)紅外氣體探測(cè);

4.CO2激光的SHG;

5.THZ實(shí)驗(yàn)光源;

6.太赫茲成像。


技術(shù)參數(shù):

GaSe晶體的透過(guò)率曲線

<strong>GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體</strong>1.jpg

實(shí)驗(yàn)室光路系統(tǒng)

<strong>GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體</strong>2.png

EOS測(cè)量及反演結(jié)果

<strong>GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體</strong>3.png


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