等離子體去膠的影響因素
閱讀：2048 發(fā)布時間：2022-4-14
干法式去膠又被稱為等離子去膠，其原理同等離子清洗類似，主要通過氧原子核和光刻膠在等離子體環(huán)境中發(fā)生反應來去除光刻膠，由于光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
就去膠速率和效果而言，溫度對去膠速率影響最大，溫度越高，反應腔內(nèi)氧氣離子越活躍，化學反應越劇烈，去膠效果也越好，但是過高的加熱溫度，可能對其基底本身造成損傷，影響基板成品率，并且射頻本身也會發(fā)熱，所以去膠加熱溫度通常根據(jù)工藝時間和基板材質(zhì)決定。氧氣作為去膠化學反應中最主要的介質(zhì)，氧氣流量的影響很大，氧氣流量大，腔體內(nèi)氧氣活離子密度也就大，與晶元表層光刻膠接觸機會也增大，去膠反應更快；但氧氣流量太大，腔體內(nèi)氧氣離子密度太高，離子的復合程度也變高，整個腔體的電離強度也隨著電子運動的自由程縮短而降低。因此氧氣流量應選擇一個合適的值。射頻選擇一般通用 13.56MHz 及 2.45GHz，也有用高頻 60MHz和低頻2MHz的。射頻的頻率影響工藝氣體的電離程 度，氧氣形成等離子體的程度會隨著射頻頻率的增加而變大，但是過高的頻率，會導致電子振幅縮短，當振幅比電子自由程還短時，電子與氧氣分子碰撞機率也會大大降低，影響最終電離率。射頻選擇往往由腔體大小及工藝等決定。功率大小的影響，在氧氣流量恒定的情況下，增大射頻功率會提高腔體內(nèi)活性離子的密度，加大去膠速率，但是腔體內(nèi)需要的活性離子是一定的，當功率加大到一定值后，去膠速度便達到飽和。去膠速度則基本不再增加。并且功率過大，去膠時間倘若較長，則導致基片溫度高，影響整體成品率，因此功率大小一般根據(jù)工藝調(diào)節(jié)。腔體內(nèi)的真空度影響工藝氣體的電離程度，真空度越高，電子運動的平均自由程越大，能量也就越大有利于電離，但是在氧氣流量和功率一定情況下，要提高真空度，必須更換大抽速的泵，大功率泵會造成氧氣離子密度降低，從而使去膠效果變差在干法去膠中，溫度對去膠速率影響最大，其次是射頻功率和氧氣流量，而反應壓力對干法去膠速率影響最小
在干法去膠中，一般常用的去膠模式都是低壓加熱去膠，效率高，但需要加熱，并且通常0.6微米左右厚膠的單面去膠工藝。有些IC制造商需要去除大于2微米膠的雙面去膠，并且保證一定均勻性，對效率不做要求。會選用等離子清洗設(shè)備進行低壓非加熱去膠，其成本低，工藝與等離子清洗類似，不同之處在于反應時間很長，可以完成同時雙面去膠工藝，而氧氣流向便顯得非常重要。
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