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長曝光制冷CMOS相機(jī) FL 9BW
15.96 mm (1“)
3000 (H) × 3000 (V)
3.76 μm x 3.76 μm
< 0.0005 e-/p/s
-25℃ @ 22℃
產(chǎn)品簡介
詳細(xì)介紹
長曝光制冷CMOS相機(jī) FL 9BW 是鑫圖針對(duì)長曝光應(yīng)用開發(fā)的新一代深度制冷CMOS相機(jī)。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技術(shù)和鑫圖*制冷密封工藝、圖像降噪技術(shù)聯(lián)合打造，不僅長曝光關(guān)鍵性能達(dá)到了深度制冷CCD的水平，還同時(shí)具有現(xiàn)代CMOS高靈敏度、高速、高動(dòng)態(tài)等性能特征，可以很好的替代制冷CCD長曝光應(yīng)用。
<0.0005 e-/p/s暗電流 可替代冷CCD長曝光應(yīng)用
FL 9BW暗電流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可達(dá)-25℃，關(guān)鍵性能達(dá)到了深度制冷CCD相當(dāng)?shù)乃?。在~10分鐘長曝光的條件下，F(xiàn)L 9BW仍能獲取高信噪比(SNR)的圖像，且在正常曝光時(shí)間內(nèi) (60分鐘)，信噪比都優(yōu)于695 CCD。
背景均一 定量分析更精準(zhǔn)
FL 9BW同時(shí)集成了索尼芯片優(yōu)異的輝光抑制能力和鑫圖*圖像降噪處理技術(shù)，基本杜絕了邊角亮光、壞點(diǎn)像素等不良制程因素對(duì)正常信號(hào)的干擾，成像背景均一，更適合定量分析應(yīng)用。
SONY 背照式科學(xué)級(jí)芯片 綜合成像性能*
FL 9BW采用索尼新一代背照式科學(xué)級(jí)CMOS芯片，不僅長曝光性能和CCD相當(dāng)，峰值量子效率高達(dá)92%，讀出噪聲僅0.9 e-，弱光成像能力碾壓CCD，動(dòng)態(tài)范圍更是傳統(tǒng)CCD的4倍以上，綜合成像性能十分*。
典型應(yīng)用參考
