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長(zhǎng)曝光制冷CMOS相機(jī) FL 26BW
28.3 mm（1.8“）
6244（H） × 4168 (V)
3.76 μm x 3.76 μm
< 0.0005 e-/p/s
-25℃ @ 22℃
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
長(zhǎng)曝光制冷CMOS相機(jī) FL 26BW 是鑫圖新一代深度制冷產(chǎn)品的新成員。它采用索尼新的背照式CMOS探測(cè)器，和鑫圖*制冷密封工藝、圖像降噪技術(shù)聯(lián)合打造，在超長(zhǎng)曝光性能達(dá)到深度制冷CCD水平的同時(shí)，視野(1.8英寸)，速度、動(dòng)態(tài)范圍等性能全面超越典型的CCD。 可以替代制冷CCD長(zhǎng)曝光應(yīng)用，在高級(jí)顯微成像和工業(yè)檢測(cè)上也有廣泛的應(yīng)用前景。
<0.0005 e-/p/s暗電流 可替代冷CCD長(zhǎng)曝光應(yīng)用
FL 26BW 暗電流低至0.0005 e-/p/s, 芯片制冷溫度可鎖定到零下25℃。即使在長(zhǎng)達(dá)30分鐘曝光時(shí)，成像性能(信噪比)仍優(yōu)于典型深度制冷CCD(ICX695)。
背景均一 定量分析更精準(zhǔn)
FL 26BW 集成了索尼新背照式芯片優(yōu)異的輝光抑制能力，和鑫圖*圖像降噪處理技術(shù)，基本杜絕了邊角亮光、壞點(diǎn)像素等不良因素，成像背景均一，更適合定量分析應(yīng)用。
SONY 背照式科學(xué)級(jí)芯片 綜合成像性能*
FL 26BW采用索尼新一代背照式科學(xué)級(jí)CMOS探測(cè)器，長(zhǎng)曝光性能和CCD相當(dāng)，峰值量子效率高達(dá)92%，讀出噪聲僅0.9 e-，弱光成像能力超越CCD，動(dòng)態(tài)范圍更是傳統(tǒng)CCD的4倍以上。
典型應(yīng)用參考
