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技術(shù)文章

霍尼韋爾傳感與控制，HONEYWELL高溫芯片傳感器,應(yīng)用指南

點(diǎn)擊次數(shù)：2238 發(fā)布時(shí)間：2010-9-14

霍尼韋爾傳感與控制，HONEYWELL高溫芯片傳感器,應(yīng)用指南

HT1104 高溫四重組裝超低輸入偏置電流運(yùn)算放大器

額定溫度：-55℃至+255℃
單流或分流運(yùn)算
共模輸入電壓范圍包括電源負(fù)限
低輸入偏置與補(bǔ)償參數(shù)
輸入/輸出過載保護(hù)
高輸入阻抗和超低偏置電流
電介質(zhì)分離的無閉鎖設(shè)計(jì)
密封14引線陶瓷DIP

數(shù)據(jù)表單下載（PDF） ^97k

HT1204 高溫四重組模擬開關(guān)

額定溫度：-55℃到+225℃
225℃時(shí)zui大滲漏為500nA
低控制輸入電流
線性度高
開關(guān)之間串?dāng)_低
密封14引線陶瓷DIP
電介質(zhì)分離的無閉鎖設(shè)計(jì)
單個(gè)開關(guān)控制
CMOS邏輯電平

數(shù)據(jù)表單（PDF） ^156k

HT506/HT507 高溫模擬多路復(fù)用器 16通道單/8通道雙

額定溫度范圍-55℃到+225℃
先斷后合開關(guān)
無閉鎖
I225℃時(shí)電阻400
I225℃時(shí)8通道漏電1.2A
分離或單一供電性能

數(shù)據(jù)表單（PDF） ^112k

HTANFET 高溫N溝道電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管

額定溫度：-55℃至+225℃
持續(xù)輸出電流可達(dá)1Amp
典型輸入電壓可達(dá)90V
絕緣層上覆硅（SOI）
4引腳電源帶式封裝或
帶整體散熱器的8引腳陶瓷Dip

數(shù)據(jù)表單 ^169k

霍尼韋爾傳感與控制，HONEYWELL高溫芯片傳感器,應(yīng)用指南

HTPLREG 高溫正線性穩(wěn)壓器

額定溫度范圍： -55℃至+225℃
輸出電流可達(dá)300mA
校準(zhǔn)+15,+10和+5V輸出
輸入電壓可達(dá)-28V
靜態(tài)電流3.0mA
電流極限和短路保護(hù)
密封4-引腳封裝

數(shù)據(jù)表單 ^94k

HTCCG 高溫晶體時(shí)鐘發(fā)生器

額定溫度：-55℃至+225℃
與CMOS/TTL 相匹配
輸出頻率24KHz-20MHz
被2,4,8 分開
單5V 供電電源
密封14引腳陶瓷DIP
與外部晶體接口

數(shù)據(jù)表單 ^148k

HT6256 高溫靜態(tài)存儲(chǔ)器

額定溫度：-55℃至+225℃
用THMOSTM IV絕緣層上覆硅生產(chǎn)
讀取/寫入循環(huán)時(shí)間 50ns支持20MHz時(shí)鐘
異步操作
輸入/輸出緩沖器
單5V 10%供電電源
密封28引線陶瓷DIP

數(shù)據(jù)表單下載（PDF） ^246k

HT83C51 高溫83C51微控制器

IHTMOS額定溫度：-55℃至+225℃
優(yōu)化8-bit CPU用于5V控制用途
四個(gè)8-bit雙向平行端口
三個(gè)帶有一個(gè)遞增/遞減定時(shí)器/計(jì)數(shù)器和時(shí)鐘輸出的16-bit定時(shí)器/計(jì)數(shù)器
可編程計(jì)數(shù)器陣列
帶有七個(gè)源極和四個(gè)優(yōu)先級(jí)的中斷結(jié)構(gòu)
半雙方的可編程串行端口帶有~成幀誤差檢測(cè)~自動(dòng)地址識(shí)別 I64k外部程序存儲(chǔ)器地址空間

數(shù)據(jù)表單下載（PDF） ^296k

霍尼韋爾傳感與控制，HONEYWELL高溫芯片傳感器,應(yīng)用指南

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