除硼樹(shù)脂的核心特性與除硼機(jī)理介紹

高選擇性吸附

   官能團(tuán)設(shè)計(jì)：基于 胺聚羥基（Poly hydroxy amine） 官能團(tuán)，通過(guò)多羥基與硼酸根離子形成穩(wěn)定的五元/六元環(huán)狀絡(luò)合物，實(shí)現(xiàn)硼的特異性吸附，不受常見(jiàn)離子（如Na?、Ca2?、SO?2?等）干擾。

PH依賴性：較佳吸附pH為 堿性環(huán)境（pH>9），此時(shí)硼以B(OH)??形式存在，絡(luò)合效率高；酸性條件（pH<7）則利于再生時(shí)解吸。

性能參數(shù)

二、應(yīng)用場(chǎng)景與典型案例

半導(dǎo)體超純水制備

必要性：硼會(huì)改變硅晶體的電學(xué)性質(zhì)，干擾芯片摻雜工藝，導(dǎo)致閾值電壓漂移和良率下降4。

案例：某芯片廠采用 "RO→除硼樹(shù)脂柱→EDI→拋光混床" 工藝，將原水硼濃度從440 ppt降至5 ppt。

核電站冷卻水處理

用于維持硼濃度低于0.1 ppm，防止硼酸沉積影響反應(yīng)堆安全運(yùn)行。

其他領(lǐng)域

海水淡化：深度脫硼保障飲用水合規(guī)（歐盟標(biāo)準(zhǔn)≤1 mg/L）。

鹽湖提鋰：去除鹵水中硼雜質(zhì)，提升鋰鹽純度。

三、關(guān)鍵操作注意事項(xiàng)

系統(tǒng)設(shè)計(jì)與運(yùn)行控制

位置安排：建議置于RO系統(tǒng)后、EDI或混床前，以便調(diào)節(jié)pH至堿性（通常加NaOH至pH 9.5–10.5）。

流速控制：較佳空床接觸時(shí)間（EBCT）對(duì)應(yīng)流速≤20 BV/h，避免穿透。

再生與維護(hù)

再生劑：4% HCl或H?SO?溶液，酸性條件破壞硼絡(luò)合物。

再生步驟：酸洗→慢沖洗→堿轉(zhuǎn)型（恢復(fù)OH?型）→終沖洗，需清除殘留再生劑。

壽命管理：定期監(jiān)測(cè)出水硼泄漏，典型使用壽命2–3年，受進(jìn)水有機(jī)物/懸浮物影響。

四、對(duì)比優(yōu)勢(shì)總結(jié)