aXMD2150 是一款基于砷化鎵 (GaAs) 導(dǎo)波技術(shù)的緊湊型高性能電光調(diào)制器。它非常適合從 DC 到 60GHz 的寬帶數(shù)字和模擬應(yīng)用，在這些應(yīng)用中，空間和重量是重要的。這款線性 Mach Zehnder 設(shè)備將帶寬和驅(qū)動(dòng)功率性能與緊湊的折疊光學(xué)配置相結(jié)合，該配置將 RF 和光學(xué)接口隔離到相對(duì)的兩端，并有助于保持 RF 饋送的完整性。該設(shè)備核心的 GaAs 芯片采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的大批量鑄造工藝制造，并且（與其他 GaAs 設(shè)備一樣）具有高度的環(huán)境穩(wěn)定性，無需進(jìn)行溫度控制。
性能特點(diǎn)
體積小、重量輕、功耗低
緊湊型折疊光學(xué)配置
平坦頻率響應(yīng)至 50 GHz
線性電光響應(yīng)
射頻驅(qū)動(dòng)電壓 (Vp) 小于 5V (DC)
SMPM 射頻連接器（光纖 I/O 的另一端）
輸出監(jiān)控光電二極管
環(huán)境穩(wěn)定且耐輻射
可忽略的長期偏置點(diǎn)漂移
無需溫度控制
技術(shù)參數(shù)
產(chǎn)地：英國
技術(shù)：砷化鎵 (GaAs) 導(dǎo)波
光插入損耗：max.7 dB
RF 電極：max.5.5 V DC
電光響應(yīng)：min.40 GHz
電回波損耗：min.8 dB
光回波損耗：min.30 dB
電光平坦度：max.±0.8 dB
消光比：min.20 dB
偏置電極：max.10 V
正交控制點(diǎn)：max.0...4 V