該設(shè)備是按照家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載子壽命測(cè)定的頻光電導(dǎo)衰減法”制。頻光電導(dǎo)衰減法在我半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整器件、核探測(cè)器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過數(shù)次十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn)，證明是種成熟可靠的測(cè)試方法，別適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測(cè)量；也可對(duì)硅片行測(cè)量，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面，制樣簡(jiǎn)便。

KDK-LT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀有以下點(diǎn)：

1、 可測(cè)量太陽能多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載子體壽命。表面拋光，直接對(duì)切割面或研磨面行測(cè)量。同時(shí)可測(cè)量多晶硅檢驗(yàn)棒及集成電路、整器、晶體管硅單晶的少子壽命。

2、可測(cè)量太陽能單晶及多晶硅片少數(shù)載子的相對(duì)壽命，表面拋光、鈍化。

3、配備用軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)顯示動(dòng)態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機(jī)及計(jì)算機(jī)。

4、配置兩種波長的紅外光源：

a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測(cè)量晶體少數(shù)載子體壽命。

b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測(cè)量低阻太陽能硅晶體。

5、測(cè)量范圍寬廣

測(cè)試儀可直接測(cè)量：

a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。

b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。

壽命可測(cè)范圍 0.25μS—10ms

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·數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀型號(hào)：KDK-LT-100C

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