HTYHM-H絕緣子鹽灰一體機測試儀

HTYHM-H絕緣子鹽灰一體機測試儀用于檢測電力線路中絕緣子的污穢附著情況，該儀器可一次測量絕緣子鹽密度和灰密度，簡化了絕緣子污穢檢測的流程，非常適合巡檢現(xiàn)場和實驗室使用。電力線路中絕緣子的污穢程度主要通過鹽密度（ESDD）和灰密度的（NSDD）來表征，該儀器同時具備測量鹽密度和灰密度的功能。內(nèi)置了常用溶液體積、絕緣子型號，方便用戶直接調(diào)用，絕緣子型號與表面積支持用戶自定義，增加數(shù)據(jù)保存功能，可保存十萬組測試數(shù)據(jù)，本機查看數(shù)據(jù)，支持U盤導(dǎo)出數(shù)據(jù)，并配有上位機數(shù)據(jù)處理軟件，方便用戶在計算機上查看、編輯、導(dǎo)出Excel表格。

2、功能說明

2.1 儀器構(gòu)成

檢測儀各部分組成如圖2.1，各部分功能如下：

顯示屏：該顯示屏為觸摸顯示屏，除顯示測量結(jié)果等數(shù)據(jù)外還可通過觸摸屏輸入?yún)?shù)、操作檢測、歷史記錄查看等功能。

打印機：以小票形式打印檢測結(jié)果，需要自行更換打印紙。

檢測口：待檢測的溶液可通過檢測口倒入內(nèi)部檢測容器以便進行測量。

排水口：測量完成后用來排出被測溶液，排水前要插入儀器配套的排水管。

充電口：使用配套充電器通過充電口給儀器充電。

排水鍵：控制儀器排水功能，當檢測結(jié)束后可按下此按鍵將加入檢測口的溶液通過排水口排出。

電源鍵：控制儀器總電源，按下儀器開機。

USB口：可插入儀器配套U盤進行數(shù)據(jù)導(dǎo)出或程序升級。

2.2 主要參數(shù)表及相關(guān)術(shù)語

相關(guān)術(shù)語：

1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator

XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據(jù)GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來測量現(xiàn)場污穢度。

2、爬電距離 creepage distance

在兩個導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的最短距離。

注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應(yīng)認為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。

3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）

絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的最高運行電壓（對于交流系統(tǒng)，為最高相電壓）之比，mm/kV。

4、附鹽密度 salt deposit density（SDD）

人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm2。

5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density（ESDD）

絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm2。

6、不溶物密度（簡稱灰密） non soluble deposit density（NSDD）

絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm2。

7、現(xiàn)場等值鹽度 site equivalent salinity（SES）

根據(jù)GB/T 4585進行鹽霧試驗時的鹽度。用該鹽度試驗，在相同絕緣子和相同電壓下，產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。

8、現(xiàn)場污穢度 site pollution severity（SPS）

在適當?shù)臅r間段內(nèi)測量到的污穢嚴重程度ESDD/NSDD或SES的最大值。

9、現(xiàn)場污穢度等級 site pollution severity class

將污穢嚴重程度從非常輕到非常嚴重按SPS的分級。

10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1

同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。