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在物理氣相沉積（PVD）工藝中，傳統(tǒng)水冷方案因熱傳導路徑冗長，難以應對真空腔體內的瞬態(tài)熱沖擊，而直冷技術通過革命性的集成設計，將制冷源直接嵌入工藝核心，開創(chuàng)了薄膜制造的溫度控制新范式。

　　一、真空熱管理的本質挑戰(zhàn)

　　PVD工藝的熱控制難題根植于其特殊工作環(huán)境：

　　熱流密度鴻溝：靶材等離子體轟擊基板時，局部熱流在微秒級時間內驟增，形成劇烈溫度梯度。

傳熱路徑阻斷：真空環(huán)境剝奪了對流傳熱路徑，僅依賴輻射和有限接觸傳導，散熱效率斷崖式下跌。

　　邊緣效應困局：基板邊緣區(qū)域因熱流失路徑復雜，溫度常顯著高于中間區(qū)域。這種非均勻熱場使薄膜內應力分布失衡，輕則導致膜層翹曲，重則引發(fā)整片剝離。

　　二、直冷系統(tǒng)的集成化突破

　　直冷機的技術革命體現在三重架構重構：

　　1. 真空冷板一體化

　　摒棄傳統(tǒng)外置冷卻模式，將微通道冷卻板直接集成于真空腔室內部。冷板與基板背面通過金屬化界面材料緊密貼合，傳熱路徑縮短。

　　2. 深度制冷雙循環(huán)

　　采用復疊式制冷架構，首級制冷單元將冷媒預冷至-40℃量級，二級在此基礎上實現-80℃深冷環(huán)境。雙級協(xié)同既滿足超低溫需求，又避免單級壓縮比過大導致的效率塌陷。

　　3. 智能界面材料層

　　開發(fā)具有自適應性形變能力的導熱界面材料，填充冷板與基板間的微觀不平整區(qū)域。該材料在真空高溫環(huán)境下保持柔性，消除傳統(tǒng)剛性接觸的熱阻盲區(qū)，將有效導熱面積提升。

　　三、溫度均質化的核心技術

　　動態(tài)熱場平衡系統(tǒng)

　　依據基板熱流分布特征，在冷卻板內部構建非對稱流道網絡。中間區(qū)采用低流阻蛇形路徑延長滯留時間，邊緣區(qū)設計加速螺旋通道增強換熱。通過計算流體動力學仿真，使冷卻液流速分布與熱負荷分布準確匹配。

　　實時熱補償機制：

　　監(jiān)控濺射電源功率波動信號，預判未來內的熱負荷變化趨勢。制冷系統(tǒng)據此提前調整冷媒流量與溫度，在熱沖擊發(fā)生前建立防御性溫控屏障。同步監(jiān)測基板熱膨脹位移，動態(tài)補償冷板間距變化，維持恒定接觸壓力。

薄膜沉積直冷機（PVD Chiller）在在半導體各種應用場景中穩(wěn)定運行，用戶還想了解更多設備信息，可以聯系冠亞恒溫。