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2024
11-20全新臺(tái)式D6 PHASER應(yīng)用報(bào)告系列（七）— 掠入射衍射- X射線衍射XRD
掠入射衍射介紹掠入射衍射（GID,Grazingincidencediffraction）是研究多晶薄膜的一種常用方法。薄膜樣品在Bragg-Brentano對(duì)稱衍射中通常表現(xiàn)出非常微弱的衍射信號(hào)，原因在于X射線可穿透薄膜照射到底層襯底，由于襯底其較大的散射體積，導(dǎo)致其衍射信號(hào)在終端信號(hào)中占據(jù)主導(dǎo)地位。然而，如果不是BB幾何的發(fā)散光路，而是一束細(xì)的平行光束照向樣品表面，這樣它只穿透薄膜而不穿透下方的襯底材料，那么來(lái)自薄膜的衍射信號(hào)則會(huì)成為主導(dǎo)。通過(guò)優(yōu)化平行光束的入射角度，可以將薄膜層的散射信號(hào)與2024
11-20如何確保晶圓片在線面掃檢測(cè)儀的數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性？
在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造業(yè)中，對(duì)晶圓片表面質(zhì)量的精確檢測(cè)是至關(guān)重要的。晶圓片在線面掃檢測(cè)儀作為一種先進(jìn)的檢測(cè)設(shè)備，因其能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)控晶圓片表面的微小缺陷，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)線上。晶圓片在線面掃檢測(cè)儀的設(shè)計(jì)充分考慮了高效檢測(cè)的需求。它通常由一個(gè)高速掃描系統(tǒng)和一個(gè)高分辨率成像系統(tǒng)組成，能夠在晶圓片傳輸過(guò)程中實(shí)時(shí)捕捉表面圖像，并通過(guò)圖像處理算法自動(dòng)識(shí)別和分類各種缺陷。這種設(shè)計(jì)不僅能夠提高生產(chǎn)效率，還能夠顯著降低因缺陷導(dǎo)致的產(chǎn)品報(bào)廢率。晶圓片在線面掃檢測(cè)儀還具備多種高級(jí)功能，以滿足不同的應(yīng)用需求。例如，一些型2024
11-20應(yīng)用分享 | AES俄歇電子能譜專輯之應(yīng)用案例(二)
上篇介紹了俄歇電子能譜（AES）的定性分析、定量分析及化學(xué)態(tài)分析功能，本篇我們將繼續(xù)分享更多AES高級(jí)功能，其中包括表面形貌觀察、深度分析及顯微分析。表面形貌觀察AES作為一種先進(jìn)的電子束探針表征技術(shù)，在納米級(jí)乃至更高精度的空間分辨要求上展現(xiàn)出了強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)，因此非常適用于納米尺度材料的表征。與掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）等依賴電子束探針的技術(shù)相似，AES在電子束聚焦能力上表現(xiàn)出色，尤其是場(chǎng)發(fā)射電子束技術(shù)的融入，極大地提升了其空間分辨能力。當(dāng)前PHI710俄歇設(shè)備的SEM圖像2024
11-202024
11-15半導(dǎo)體制造：晶圓片在線面掃檢測(cè)儀的作用與價(jià)值
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，質(zhì)量控制是確保芯片性能和可靠性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。隨著技術(shù)的發(fā)展，晶圓片在線面掃檢測(cè)儀成為了這一過(guò)程中不可或缺的工具。晶圓片在線面掃檢測(cè)儀是一種高精度的檢測(cè)系統(tǒng)，專門用于監(jiān)測(cè)晶圓片表面的微小缺陷。這些缺陷可能包括顆粒污染、劃痕或圖案不完整等，它們都可能影響最終產(chǎn)品的性能。通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，該設(shè)備能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并反饋給生產(chǎn)線，從而避免不良品的產(chǎn)生。該檢測(cè)儀基于光學(xué)掃描技術(shù)。一束激光或強(qiáng)光被引導(dǎo)至晶圓片表面，并通過(guò)高分辨率的攝像頭捕捉反射回來(lái)的光線。如果晶圓片表面存在任何不規(guī)則性，如凸起或凹2024
11-13應(yīng)用分享 | 氬離子設(shè)備 (XPS、PHI710、TOF-SIMS)
氬離子設(shè)備對(duì)于表面分析，樣品表面極易被污染。為了清潔被污染的固體表面,在能譜分析中,常常利用離子設(shè)備發(fā)出的離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行濺射剝離,以清潔表面。利用離子設(shè)備發(fā)出的離子束定量地剝離一定厚度的表面層,然后再分析表面成分,這樣就可以獲得元素成分沿深度方向的分布圖。同時(shí)，離子設(shè)備也兼具中和樣品表面荷電的作用。一、氬離子設(shè)備原理圖▲圖1氬離子設(shè)備原理圖二、氬離子設(shè)備實(shí)圖▲圖2氬離子設(shè)備圖三、氬離子設(shè)備主要作用清潔(樣品表面被污染)清潔被污染的樣品表面,利用離子設(shè)備發(fā)出的離子束對(duì)樣品表面進(jìn)行濺射剝離,以2024
10-30XRM應(yīng)用分享 | 高分辨顯微CT檢測(cè)技術(shù)在生命科學(xué)領(lǐng)域的前沿應(yīng)用
隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，高分辨顯微CT（ComputedTomography）檢測(cè)技術(shù)作為一種非破壞性的三維成像技術(shù)，在生命科學(xué)領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力和價(jià)值。其不僅能夠?qū)崿F(xiàn)生物樣本的精確成像，還能提供豐富的生物學(xué)信息，為生命科學(xué)研究提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支持。本文旨在探討高分辨顯微CT檢測(cè)技術(shù)在生命科學(xué)領(lǐng)域的前沿應(yīng)用，并分析其在推動(dòng)科學(xué)進(jìn)步方面的作用。一、概述高分辨顯微CT檢測(cè)技術(shù)是一種基于X射線的高精度三維成像技術(shù)，它結(jié)合了CT掃描與顯微鏡技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，能夠在不破壞樣本的前提下，實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)別的2024
10-30XRD應(yīng)用分享 | 微焦斑高分辨XRD在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用——以PZT電容器為例
微電子器件的功能在很大程度上取決于其晶體結(jié)構(gòu)。高分辨率X射線衍射（HRXRD）是一種無(wú)損分析技術(shù)，能夠以亞納米級(jí)的精度研究晶體結(jié)構(gòu)-即使是在非環(huán)境或工作狀態(tài)下。使用實(shí)驗(yàn)室X射線衍射儀通過(guò)HRXRD研究這些微米級(jí)尺寸的器件極其具有挑戰(zhàn)性，因?yàn)樾枰皇∮谒P(guān)注結(jié)構(gòu)的X射線束。鋯鈦酸鉛（PZT）電容器在提高各種電子設(shè)備和系統(tǒng)的功能及性能方面起著至關(guān)重要的作用。由于其能夠在電能和機(jī)械能之間轉(zhuǎn)換，它們被用于需要高精度、控制和高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中。典型的例子包括微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件、壓電變壓器、致動(dòng)2024
10-30應(yīng)用分享｜少子壽命測(cè)試儀(MDP)針對(duì)碳化硅器件性能優(yōu)化的關(guān)鍵作用
1應(yīng)用背景在微電子半導(dǎo)體行業(yè)日新月異的現(xiàn)狀，材料質(zhì)量的提升與器件性能的優(yōu)化成為推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵因素。碳化硅（SiC）作為一種新興的高性能半導(dǎo)體材料，以其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度及耐高溫特性，在電力電子、新能源汽車、航天航空等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，碳化硅器件的性能優(yōu)化并非易事，其涉及到材料質(zhì)量、加工工藝、器件設(shè)計(jì)等多個(gè)層面的精細(xì)控制。在這個(gè)過(guò)程中，少數(shù)載流子壽命（少子壽命）作為評(píng)價(jià)半導(dǎo)體材料質(zhì)量的重要參數(shù)之一，其精確測(cè)量與深度分析顯得尤為重要。2儀器介紹德國(guó)弗萊貝格儀器有限公司（F2024
10-252024
10-252024
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10-23晶體日記（二十三）-單晶測(cè)試容易犯的錯(cuò)誤-以偏概全- X射線衍射XRD
前言寫(xiě)這個(gè)的起因，是因?yàn)樽鯠EMO時(shí)犯的一個(gè)錯(cuò)誤。其實(shí)很多測(cè)試看起來(lái)確實(shí)很簡(jiǎn)單，很多高大上的儀器，真正的操作其實(shí)也并沒(méi)有什么繁瑣的。甚至從培訓(xùn)的時(shí)候就能看的出來(lái)。大部分同學(xué)聽(tīng)完怎么操作就懶得再聽(tīng)下去了，于是20人結(jié)果經(jīng)常堅(jiān)持下來(lái)的人只有2人。我想大部分使用的人實(shí)際上連布拉格方程是什么都沒(méi)有理解。不然也不會(huì)有那么多人始終分不清單晶衍射儀和粉末衍射儀的區(qū)別。單晶X射線衍射SC-XRD是為了利用X射線衍射測(cè)定晶體的三維結(jié)構(gòu)（實(shí)空間）而設(shè)計(jì)。通過(guò)測(cè)試單顆晶體，獲取三維空間的倒易點(diǎn)陣信息。當(dāng)有足夠多的數(shù)據(jù)2024
10-23應(yīng)用分享 | TOF-SIMS在有機(jī)樣品分析中的利器
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）作為重要表面分析技術(shù)，不僅能夠提供有機(jī)材料表面的質(zhì)譜圖、還可以觀測(cè)表面離子空間分布以及膜層深度分布信息，展現(xiàn)出了廣泛的應(yīng)用前景和巨大潛力。但是在對(duì)有機(jī)樣品進(jìn)行TOF-SIMS分析時(shí)也面對(duì)一些挑戰(zhàn)，例如有機(jī)材料導(dǎo)電性差引起荷電效應(yīng)，大質(zhì)量數(shù)離子譜峰難以解析分子結(jié)構(gòu)，以及有機(jī)組分易揮發(fā)導(dǎo)致超高真空環(huán)境下難以檢測(cè)到等。在本期文章中，我們將針對(duì)這些挑戰(zhàn)來(lái)介紹TOF-SIMS對(duì)應(yīng)的分析利器。一.有絕緣樣品的荷電中和有機(jī)材料普遍存在導(dǎo)電性較差的問(wèn)題，這是TOF-SIM2024
10-202024
10-10應(yīng)用分享 | TOF-SIMS在有機(jī)材料研究中的應(yīng)用
飛行時(shí)間質(zhì)量分析器具備全質(zhì)量范圍掃描的特點(diǎn)，在一次采集過(guò)程中能夠收集到較大質(zhì)量范圍內(nèi)的所有分子離子碎片。當(dāng)使用TOF-SIMS對(duì)有機(jī)材料進(jìn)行分析時(shí)，我們通過(guò)譜圖解析可以識(shí)別出這些分子離子對(duì)應(yīng)的有機(jī)分子碎片，揭示有機(jī)材料鍵接結(jié)構(gòu)。這些豐富的化學(xué)信息能夠直接反映有機(jī)物的組成與結(jié)構(gòu)特征，為有機(jī)材料設(shè)計(jì)、合成和性能優(yōu)化提供重要的實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)支持。在本期文章中，我們將通過(guò)一系列案例來(lái)介紹TOF-SIMS在有機(jī)材料中的應(yīng)用。有機(jī)分子結(jié)構(gòu)解析有機(jī)材料是由不同類型的官能團(tuán)和化學(xué)鍵所構(gòu)成的，在TOF-SIMS電離過(guò)2024
10-102024
10-10XRD在藥物研究中的應(yīng)用系列之-XRD型號(hào)和樣品架篇
XRD應(yīng)用文章藥物研究系列XRD型號(hào)和樣品架篇X射線衍射技術(shù)在藥物分析中有著廣泛的應(yīng)用。X射線衍射技術(shù)是一種用于研究物質(zhì)結(jié)構(gòu)的分析方法，它通過(guò)測(cè)量X射線在晶體中的衍射角度，來(lái)確定晶體的結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)在藥物分析中具有很多應(yīng)用。1XRD型號(hào)篇BrukerAXS公司在藥物行業(yè)深耕多年，市場(chǎng)占有的情況高，尤其是在測(cè)試API中的低含量雜質(zhì)物相或者是在制劑粉末中的API含量等領(lǐng)域，借助LYNXEYEXE-T能量色散陣列探測(cè)器，可以將定量檢出限降低到1%甚至0.1%以下，方法成熟并經(jīng)過(guò)多個(gè)用戶的驗(yàn)證。同樣，針2024
09-242024
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