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2024
09-14電子順磁共振波譜儀如何揭示分子結(jié)構(gòu)的秘密?
在物理、化學(xué)、生物等科學(xué)領(lǐng)域的研究實(shí)驗(yàn)室中,電子順磁共振波譜儀是一種不可或缺的分析工具。它通過探測物質(zhì)分子中未配對(duì)電子的磁性質(zhì),揭示了分子結(jié)構(gòu)的諸多秘密,為科學(xué)研究提供了強(qiáng)有力的支持。電子順磁共振波譜儀基于電子順磁共振現(xiàn)象,即未配對(duì)電子在磁場中對(duì)微波的吸收。這項(xiàng)技術(shù)涉及到將樣品置于一個(gè)嚴(yán)格控制的磁場環(huán)境中,并使其受到特定頻率微波的作用。當(dāng)未配對(duì)電子吸收微波能量時(shí),它們會(huì)在特定的能級(jí)之間躍遷,而這種躍遷被儀器檢測并記錄下來,形成特有的波譜圖。這種波譜圖是順磁共振波譜儀輸出的關(guān)鍵信息,它如同物質(zhì)的指2024
09-11全新臺(tái)式D6 PHASER應(yīng)用報(bào)告系列(六)— 織構(gòu)分析- X射線衍射XRD
織構(gòu)簡介一般的多晶材料表現(xiàn)出各向同性,這是因?yàn)樵诙嗑w中各晶粒無規(guī)取向。如果因?yàn)槟承┰蚴沟妹總€(gè)晶粒的取向趨于一致,我們稱之為擇優(yōu)取向或者織構(gòu)。出現(xiàn)織構(gòu)以后,材料將表現(xiàn)出不同程度的各向異性。在多數(shù)情況下,我們不希望有織構(gòu)。但一些織構(gòu)結(jié)構(gòu)可以提高材料的力學(xué)和電學(xué)性質(zhì),因此樣品正確的取向或織構(gòu)至關(guān)重要。大多數(shù)金屬樣品在加工過程中由于加工技術(shù)而表現(xiàn)出一定程度的織構(gòu)結(jié)構(gòu)。比如電鍍層在形成時(shí),織構(gòu)往往與電流傳導(dǎo)方向相關(guān)。金屬經(jīng)鍛造、軋制、擠壓、拉拔等加工時(shí),由于加工應(yīng)力的作用將形成形變織構(gòu),而具有形變織構(gòu)2024
09-11應(yīng)用分享 | 布魯克三維X射線顯微鏡在油氣地質(zhì)領(lǐng)域的應(yīng)用
布魯克三維X射線顯微鏡(3DX-rayMicroscopy,3DXRM)在地質(zhì)油氣領(lǐng)域的應(yīng)用極為普遍,能夠?yàn)閹r石、沉積物和流體行為的研究提供高分辨率的三維成像。這項(xiàng)技術(shù)在巖石物理、儲(chǔ)層特性分析和微觀結(jié)構(gòu)研究中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。應(yīng)用概述布魯克三維X射線顯微鏡通過X射線掃描樣品,生成其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的高分辨率三維圖像。它能夠在不破壞樣品的前提下,提供詳細(xì)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息,對(duì)油氣地質(zhì)研究具有重要意義。主要應(yīng)用領(lǐng)域一、巖石孔隙結(jié)構(gòu)分析孔隙率與滲透率測定:三維X射線顯微鏡可以精確測量巖石樣品的孔隙度和滲透率,幫2024
09-11晶體日記(二十一)- 死而復(fù)生的晶體- X射線衍射XRD
知道我的人,發(fā)現(xiàn)近期我在提倡一個(gè)字:慢。對(duì)于一個(gè)急性子的人,有點(diǎn)不可思議。不過我提倡的“慢”不是指做事慢吞吞,而是留給自己足夠的時(shí)間去琢磨一些看起來簡單,無關(guān)乎結(jié)果的事情。把節(jié)奏放慢下來。儀器的進(jìn)步帶來了很多便利,常見的一句話是現(xiàn)在的D8VENTURE真好用,好的晶體分分鐘就測完了。挑晶體的時(shí)間比測試的時(shí)間還長。確實(shí)現(xiàn)在的處境不是等機(jī)時(shí),而是好多D8VENTURE空在那里等樣品。一個(gè)星期長出來的樣品,一天就被清空了。剩下的時(shí)間做什么呢?我覺得應(yīng)該去琢磨哪些看起來不好做的晶體,畢竟不好做的晶體才真2024
09-11應(yīng)用分享 | AES俄歇電子能譜專輯之應(yīng)用案例(一)
俄歇電子能譜儀(AES),作為表面分析技術(shù)領(lǐng)域的納米探針,在固體材料表面納米尺度的元素成分分析及形貌表征方面發(fā)揮著重要作用。AES采用場發(fā)射電子源作為探針,不只能通過從樣品表面激發(fā)出二次電子以觀察表面形貌,還能通過探測俄歇電子,用于表面成分分析。此外,AES通過集成的濺射離子設(shè)備賦予了對(duì)材料縱向深度的逐層剖析能力,從而深入洞悉材料從表面至內(nèi)部的成分變化與分布規(guī)律。本篇技術(shù)文章將主要介紹AES的基本功能:表面元素的定性分析、定量分析以及化學(xué)態(tài)分析。表面元素定性分析俄歇躍遷過程表明,俄歇電子的動(dòng)能只2024
09-05晶體日記(二十)- 有效的數(shù)據(jù)收集是較省時(shí)間的方式據(jù)- X射線衍射XRD
從工作開始接觸化學(xué)小分子晶體學(xué),經(jīng)常見的一句話:高角度沒點(diǎn),怎么辦?這看似簡單的問題,實(shí)則隱藏著諸多未解之謎。盡管它十分普遍,但每次聽到,我總會(huì)陷入沉思。我明白提問者所要表達(dá)的意思。但是這個(gè)問題并沒有表達(dá)出晶體的衍射能力怎么樣?所謂的“沒點(diǎn)”又表示著怎樣的具體情況?然而多數(shù)情況下,稍微問一下,就發(fā)現(xiàn)“高角度沒點(diǎn)”只是空洞的訴求。分辨率,衍射能力,這是晶體學(xué)里重要的東西。然而化學(xué)晶體學(xué)很多時(shí)候都在弱化這些基礎(chǔ)。高角度無點(diǎn),但晶體的分辨率是.9A?1.1A?1.5A?3A?還是更低?這些數(shù)字背后,其2024
09-04晶體日記(十九)- 給使用OMIT完整的證據(jù)鏈- X射線衍射XRD
有個(gè)存在于但是不限于晶體學(xué)的問題:遇到問題,優(yōu)先級(jí)不是想著怎么理解,怎么解決,而是想著怎么掩蓋,讓別人看不到,或者忽略。近期聽到一個(gè)有意思的詞,“離群衍射點(diǎn)”,指的是精修時(shí)發(fā)現(xiàn)的(FovsFc)誤差值過大的衍射點(diǎn),orMostDisagreeableReflections。雖然聽到時(shí)是個(gè)烏龍,被當(dāng)成了Q峰。當(dāng)然這是常見的概念上的混亂和張冠李戴,這個(gè)就不吐槽了,太費(fèi)神。但是“離群”就“刪掉”了之了么?聊聊OMIT既然說到了這個(gè)事情,那就得聊聊OMIT這個(gè)事情。如同Squeeze的濫用,為了獲得比較2024
09-04應(yīng)用分享 | 反光電子能譜IPES專輯之應(yīng)用案例(一)-XPS
反式鈣鈦礦太陽能電池(InvertedPerovskiteSolarCells,IPSCs)是一種新型太陽能電池技術(shù),其制備方法是將常規(guī)鈣鈦礦太陽能電池中的陽極和陰極位置倒置。IPSCs相較于常規(guī)的PSCs,其電荷傳輸效率以及電池整體的光電轉(zhuǎn)換效率都顯著提高。此外,IPSCs還具備良好的相容性、對(duì)水氧低敏感性以及工作溫度范圍寬等諸多優(yōu)勢(shì),對(duì)于推動(dòng)鈣鈦礦太陽能電池的商業(yè)化進(jìn)程至關(guān)重要。鈣鈦礦吸收層與空穴傳輸層之間界面的相互作用是影響鈣鈦礦電池穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。對(duì)此,戚亞冰教授研究團(tuán)隊(duì)制備了一種類石2024
09-04應(yīng)用分享 | 2025版PDF數(shù)據(jù)和JADE軟件應(yīng)用
國際衍射數(shù)據(jù)中心(ICDD)自1941年發(fā)行標(biāo)準(zhǔn)衍射卡片數(shù)據(jù)庫(PDF數(shù)據(jù)庫)至今已有80多年的歷史,PDF數(shù)據(jù)庫是目前有效的分析粉末XRD數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)衍射數(shù)據(jù)庫。2024年9月,ICDD正式發(fā)行2025版PDF數(shù)據(jù)庫,根據(jù)用戶的不同需求,ICDD所發(fā)行的數(shù)據(jù)庫種類有PDF-5+、PDF-4Axiom、PDF-4Minerals和PDF-2數(shù)據(jù)庫;其中PDF-5+數(shù)據(jù)庫涵蓋之前的PDF-4+和PDF-4Organic的所有數(shù)據(jù),無機(jī)物-有機(jī)物綜合性數(shù)據(jù)庫,收錄的數(shù)據(jù)超過110萬條,滿足粉末XRD數(shù)2024
08-282024
08-28晶體日記(十七)- 從孿晶的squeeze能學(xué)到什么- X射線衍射XRD
各種原因,好久沒更新了,有些疲憊。不過聽了很多老師的話,我還是打算重啟繼續(xù)。不為了改變什么,純粹自娛自樂也未嘗不可。現(xiàn)在就聊一點(diǎn)輕松的,關(guān)于學(xué)習(xí)方式的話題吧。關(guān)于自動(dòng)化的感悟關(guān)于自動(dòng)化,我始終持保留態(tài)度,不管你怎么跟我爭論它有多么“傻瓜”。目前的自動(dòng)化,我大多看不上眼,因?yàn)椤白詣?dòng)化”并沒有減輕我的工作量,反而讓我疲于解釋各種基礎(chǔ)的不能再基礎(chǔ)的問題。我理解的自動(dòng)化的意義應(yīng)該是讓人從冗繁無意義的重復(fù)勞動(dòng)中解決出來,而不是代替人去做基本的思考和學(xué)習(xí)。人應(yīng)該站在比自動(dòng)化更高的程度上,而不是依賴自動(dòng)化或者2024
08-28應(yīng)用分享|少子壽命測試儀(MDP)在碳化硅材料質(zhì)量評(píng)估中的應(yīng)用
在半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域,碳化硅(SiC)作為一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,近年來因其高性能而備受關(guān)注。SiC以其高硬度、高抗壓強(qiáng)度、高熱穩(wěn)定性和優(yōu)異的半導(dǎo)體特性,在大功率器件、高溫環(huán)境應(yīng)用以及裝甲陶瓷等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力。特別是在高壓器件中,SiC已成為硅(Si)的有力競爭對(duì)手,其性能的提升對(duì)于推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的發(fā)展具有重要意義。然而,SiC材料的質(zhì)量評(píng)估是確保其在實(shí)際應(yīng)用中發(fā)揮高性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。少數(shù)載流子壽命(MinorityCarrierLifetime),作為衡量半導(dǎo)體器件性能的基本參數(shù)之一,對(duì)于Si2024
08-28應(yīng)用分享 | AES俄歇電子能譜儀表面分析技術(shù)
俄歇電子能譜(AugerElectronSpectroscopy,AES)作為一種高度靈敏的表面分析技術(shù),廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體工業(yè)及化學(xué)工程等領(lǐng)域,用于研究固體表面的化學(xué)組成及元素分布。ULVAC-PHI公司匠心打造的PHI710掃描俄歇納米探針系統(tǒng),采用同軸筒鏡式電子能量分析器的設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)對(duì)納米表面特征、薄膜結(jié)構(gòu)和表面污染物成分全方面表征和二次電子成像同步觀測。圖1.PHI710設(shè)備外觀圖。PHI710掃描俄歇納米探針系統(tǒng)是該領(lǐng)域的先進(jìn)設(shè)備,其結(jié)構(gòu)構(gòu)成復(fù)雜而精密,主要包括以下幾個(gè)關(guān)鍵部分2024
08-232024
08-222024
08-21應(yīng)用分享 | Bruker SkyScan XRM 在電池與清潔能源領(lǐng)域的應(yīng)用
隨著全球?qū)η鍧嵞茉葱枨蟮娜找嬖鲩L,電池技術(shù)的進(jìn)步成為推動(dòng)這一轉(zhuǎn)變的關(guān)鍵因素之一。BrukerSkyScanX射線顯微鏡(XRM)因其在非破壞性高分辨率成像方面的優(yōu)異表現(xiàn),正在電池材料研發(fā)與質(zhì)量控制中扮演著日益重要的角色。該技術(shù)的應(yīng)用能夠提高電池性能、延長電池壽命,同時(shí)加速清潔能源的創(chuàng)新進(jìn)程。BrukerSkyScanXRM是一種先進(jìn)的3DX射線顯微成像技術(shù),能夠?qū)ξ⒚咨踔良{米級(jí)結(jié)構(gòu)進(jìn)行非破壞性觀察。這一技術(shù)結(jié)合了高分辨率、快速成像和深度分析能力,可以對(duì)復(fù)雜樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)分析,從而為電池材2024
08-21晶體日記(十六):APEX4 -從“數(shù)據(jù)庫”里尋找答案
晶體學(xué)有時(shí)會(huì)讓人覺得很神奇,透過一個(gè)晶體,我們可以看到微觀的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。但是晶體在肉眼下就只是晶體,沒有X射線我們就只能看著它,可能對(duì)它無從下手。而且晶體結(jié)構(gòu)解析需要有一些已知的信息,不然我們就沒有辦法知道這里面會(huì)有什么。讓人失望的晶體做晶體實(shí)驗(yàn)總是會(huì)遇到一些意想不到的情況,晶體的生長并不會(huì)按照我們的意愿進(jìn)行。偶爾欣喜若狂地看到的晶體興許只是一些雜質(zhì),或者只是鹽罷了。如果你是做蛋白晶體的,你一定會(huì)十分沮喪,心情一定是180°的轉(zhuǎn)彎。記得讀書時(shí)發(fā)生過無數(shù)次這樣的情況,然而一般看到是鹽晶,也就到此為止2024
08-21應(yīng)用分享 | 異形器件的失效分析測試方案之原位XPS+AES
失效分析(FailureAnalysis)是探究元器件失效根源的重要手段,旨在為元器件設(shè)計(jì)、工藝、制造等流程提供改進(jìn)方向,從而提升產(chǎn)品良率和可靠性。在失效分析中,經(jīng)常遇到異形器件,其不規(guī)則的形狀與多元組件構(gòu)成的特征尤為明顯,直接影響著產(chǎn)品的性能。值得注意的是,特征尺寸在微米/亞微米級(jí)別的異形器件的表征往往存在著諸多挑戰(zhàn)。一方面,受限于傳統(tǒng)分析設(shè)備的空間分辨能力,元器件微小特征的微區(qū)分析會(huì)遇到難以準(zhǔn)確定位和準(zhǔn)確分析的障礙,直接影響了測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。對(duì)此,PHI創(chuàng)新性推出了掃描微聚焦型XPS技術(shù),2024
08-21應(yīng)用分享 | 固態(tài)電池中電解質(zhì)/金屬鋰界面的XPS-HAXPES表征
以立方石榴石型Li7La3Zr2O12(LLZO)作為固態(tài)電解質(zhì)的固態(tài)電池(SSB),具有高鋰離子電導(dǎo)率、低電子導(dǎo)電率(EC)、高機(jī)械和熱穩(wěn)定性以及寬電化學(xué)窗口等特點(diǎn),有望成為推動(dòng)下一代儲(chǔ)能技術(shù)騰飛的“種子選手”。不過研究發(fā)現(xiàn)LLZO表面容易產(chǎn)生由LiOH和Li2CO3組成的鋰離子非均勻(厚度、成分差異)絕緣層,導(dǎo)致LLZO與金屬鋰的潤濕性較差,從而在充放電過程中引起高界面電阻甚至是Li枝晶的形成,嚴(yán)重影響LLZO-SSBs的電化學(xué)性能。為了增強(qiáng)固態(tài)電解質(zhì)與金屬鋰的浸潤性,本項(xiàng)工作中在界面引入S2024
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